[发明专利]有机器件结构及其制造方法在审
申请号: | 201310317603.X | 申请日: | 2003-11-12 |
公开(公告)号: | CN103474577A | 公开(公告)日: | 2013-12-25 |
发明(设计)人: | M-H·M·陆 | 申请(专利权)人: | 通用显示公司 |
主分类号: | H01L51/50 | 分类号: | H01L51/50;H01L27/32;H01L51/56 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人: | 王贵杰 |
地址: | 美国新*** | 国省代码: | 美国;US |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 有机 器件 结构 及其 制造 方法 | ||
1.一种有机发光器件,其包括:
底电极;
放置在底电极之上的图案化的第一有机层,该层包括能发射第一光谱带光的第一区域;
放置在第一有机层之上并与第一有机层进行物理接触的第二有机层,第二有机层被放置在底电极之上,第二有机层能够发射第二光谱带的光;和
放置在第二有机层之上的顶电极。
2.权利要求1的器件,其中图案化的第一有机层进一步包括第二区域,其中该第二区域能够发射第三光谱带的光。
3.权利要求2的器件,其中所述第一、第二和第三光谱带的光各自不同。
4.权利要求2的器件,其中第一光谱带的光为红光。
5.权利要求2的器件,其中第二光谱带的光为蓝光。
6.权利要求2的器件,其中第三光谱带的光为绿光。
7.权利要求1的器件,其中第一有机层通过溶液处理法进行沉积。
8.权利要求7的器件,其中溶液处理法通过喷墨法进行。
9.权利要求1的器件,其中第二有机层通过热汽相沉积作用进行沉积。
10.权利要求1的器件,其中顶电极包括铟锡氧化物。
11.权利要求1的器件,其中顶和底电极与有机层进行电连接。
12.权利要求1的器件,其中第一有机层为空穴传输层,并且第二有机层为发射层。
13.权利要求1的器件,其中第二有机层为发射层,其包括纯净的发射材料的层。
14.权利要求1的器件,进一步包括放置在底电极和第一有机层之间的第三有机层。
15.权利要求14的器件,其中第三有机层为空穴传输层,并且第一有机层为发射层。
16.权利要求14的器件,其中第三有机层为空穴注射层,并且第一有机层为发射层。
17.权利要求14的器件,其中第三有机层为电子阻挡层,并且第一有机层为发射层。
18.权利要求14的器件,进一步包括放置在底电极和第三有机层之间的第四有机层。
19.权利要求18的器件,其中第四有机层为空穴传输层,并且第三有机层为电子阻挡层。
20.一种制造有机发光器件的方法,包括:
在基底之上沉积底电极;
在底电极之上沉积图案化的第一有机层,第一区域能够发射第一光谱带的光;
在第一有机层之上沉积第二有机层,并与第一有机层进行物理接触,该第二有机层放置在底电极之上,该第二有机层能够发射第二光谱带的光;和
在第二有机层之上沉积顶电极。
21.一种制造有机发光器件的方法,包括:
在基底之上沉积底电极;
在底电极之上沉积图案化的第一有机层,其中第一区域包括两个区域,第一个区域能够发射第一光谱带的光,第二个区域能够发射第三光谱带的光;
在第一有机层和底电极之上沉积第二有机层,该第二有机层能够发射第二光谱带的光;和
在第二有机层之上沉积顶电极。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于通用显示公司,未经通用显示公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201310317603.X/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择