[发明专利]发光装置和电子设备在审
| 申请号: | 201310316715.3 | 申请日: | 2013-07-25 |
| 公开(公告)号: | CN103579290A | 公开(公告)日: | 2014-02-12 |
| 发明(设计)人: | 岩崎正宪;藤田伸 | 申请(专利权)人: | 精工爱普生株式会社 |
| 主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52 |
| 代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 舒艳君;李洋 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 发光 装置 电子设备 | ||
1.一种发光装置,其特征在于,具有:
基板;
第一发光元件,其被配置在所述基板的第一面上,并具有第一像素电极、对置电极、以及在所述第一像素电极与所述对置电极之间包含发光层的功能层,该第一发光元件应释放出第一光;
第二发光元件,其被配置在所述第一面上,并具有第二像素电极、对置电极、以及在所述第二像素电极与所述对置电极之间包含发光层的功能层,该第二发光元件应释放出第二光;以及
绝缘层,其经由所述第一像素电极和所述第二像素电极而配置在所述第一面与所述功能层之间,并设置有使所述第一像素电极露出的第一开口、和使所述第二像素电极露出的第二开口,
所述第一开口通过所述绝缘层覆盖所述第一像素电极的周边部中50%以上而构成,
所述第二开口通过所述绝缘层覆盖所述第二像素电极的周边部中小于50%而构成。
2.根据权利要求1所述的发光装置,其特征在于,
所述第一像素电极和所述第二像素电极为平面形状,该平面形状在第二方向上的长度比第一方向上的长度短,所述第二方向与所述第一方向交叉,
所述第一开口通过所述绝缘层覆盖所述第一像素电极的周边部中至少沿着所述第一方向的端部而构成,
所述第二开口通过所述绝缘层覆盖所述第二像素电极的周边部中沿着所述第二方向的端部的至少一部分而构成。
3.根据权利要求1或2所述的发光装置,其特征在于,具有:
第一像素电路,其被配置在所述第一面与所述第一像素电极之间,并控制所述第一发光元件的驱动;
第一连接部,其将所述第一像素电极和所述第一像素电路连接起来;
第二像素电路,其被配置在所述第一面与所述第二像素电极之间,并控制所述第二发光元件的驱动;以及
第二连接部,其将所述第二像素电极和所述第二像素电路连接起来,
所述绝缘层以与所述第一连接部以及所述第二连接部重叠的方式被形成。
4.根据权利要求3所述的发光装置,其特征在于,
所述第一连接部被配置在所述第一像素电极的周边部中沿着所述第二方向的端部侧,
所述第二连接部被配置在所述第二像素电极的周边部中沿着所述第二方向的端部侧。
5.根据权利要求1~4中任意一项所述的发光装置,其特征在于,
所述第二像素电极的厚度比所述第一像素电极的厚度薄。
6.根据权利要求1~5中任意一项所述的发光装置,其特征在于,
具备第三发光元件,该第三发光元件被配置在所述第一面上,并具有第三像素电极、对置电极、以及在所述第三像素电极与所述对置电极之间包含发光层的功能层,所述第三发光元件应释放出第三光,
所述第二发光元件和所述第三发光元件在第二方向上相邻地被配置,
所述第二开口在与所述第二方向交叉的第一方向上跨越所述第二像素电极和所述第三像素电极,并通过覆盖所述第二像素电极和第三像素电极的周边部中小于50%而构成。
7.根据权利要求6所述的发光装置,其特征在于,
具有反射层,该反射层被配置在所述第一面与所述第一像素电极、所述第二像素电极以及所述第三像素电极之间,
所述对置电极是使从所述功能层释放出的光的一部分透过、一部分反射的半透过反射层,
在所述第一发光元件、所述第二发光元件、所述第三发光元件的每一发光元件中,在所述反射层与所述半透过反射层之间形成有共振器结构。
8.根据权利要求6或7所述的发光装置,其特征在于,
具有:
第三像素电路,其被配置在所述第一面与所述第三像素电极之间,并控制所述第三发光元件的驱动;和
第三连接部,其将所述第三像素电极和所述第三像素电路连接起来,
所述绝缘层与所述第三连接部重叠。
9.根据权利要求6~8中任意一项所述的发光装置,其特征在于,
所述第三像素电极的厚度比所述第一像素电极的厚度薄。
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