[发明专利]自感式可控电抗器双绕组结构无效
申请号: | 201310315342.8 | 申请日: | 2013-07-25 |
公开(公告)号: | CN104347238A | 公开(公告)日: | 2015-02-11 |
发明(设计)人: | 金鑫;王光辉;张宗有 | 申请(专利权)人: | 青岛菲特电器科技有限公司 |
主分类号: | H01F27/28 | 分类号: | H01F27/28;H01F27/40 |
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地址: | 266100 山东省青岛市崂山*** | 国省代码: | 山东;37 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 自感 可控 电抗 绕组 结构 | ||
技术领域
本发明涉及一种自感式可控电抗器双绕组结构。
背景技术
在公知的技术领域,随着超高压大电网的形成和城市电网中电缆线路剧增,电网中的无功功率变化和电压波动等问题日益突出,实施无功功率动态平衡和电压波动的动态抑制、加强电网谐波治理、抑制超高压输电长线路末端电压升高和减少线路单相接地时的潜供电流、消除发电机自励磁等措施,对电网的安全经济运行、促进电网节能,具有重要意义,所以需要有一种结构合理、工作稳固可靠的自感式可控电抗器装置。
发明内容
本发明要解决的技术问题是:克服上述问题,提供一种结构合理、工作稳固可靠的自感式可控电抗器双绕组结构。
本发明解决其技术问题所采用的技术方案是:一种自感式可控电抗器双绕组结构,包括可控电抗器的铁芯柱体,在所述铁芯柱体的上、下两端均设有铁轭,在所述铁芯柱体外套设有电磁线圈组,所述的电磁线圈组具有第一绕线组、第二绕线组和第三绕线组,在所述第一绕线组和第二绕线组上分别设有第一单向硅元件和第二单向硅元件,且所述第一单向硅元件和第二单向硅元件构成封闭回路,所述第三绕线组具有多个并联设置的缠绕线圈,且在所述第三绕线组上设有短路过载保护开关。
进一步的,作为一种具体的实施方式,本发明中所述第三绕线组具有8个并联设置的缠绕线圈。
本发明的有益效果是:本发明结构简单,设计合理,工作稳定性高,损耗小,噪音低,制造成本省,可应用于超高压电网等电路系统中。
附图说明
下面结合附图和实施例对本发明进一步说明。
图1是本发明的结构示意图;
图中:1.铁芯柱体,2.电磁线圈组,3.第一单向硅元件,4.第二单向硅元件,5.短路过载保护开关,6.铁轭。
具体实施方式
现在结合附图对本发明作进一步详细的说明。这些附图均为简化的示意图,仅以示意方式说明本发明的基本结构,因此其仅显示与本发明有关的构成。
如图1所示的本发明自感式可控电抗器双绕组结构的优选实施例,包括可控电抗器的铁芯柱体1,在所述铁芯柱体1的上、下两端均设有铁轭6,在所述铁芯柱体1外套设有电磁线圈组2,所述的电磁线圈组2具有第一绕线组、第二绕线组和第三绕线组,在所述第一绕线组和第二绕线组上分别设有第一单向硅元件3和第二单向硅元件4,且所述第一单向硅元件3和第二单向硅元件4构成封闭回路,所述第三绕线组具有8个并联设置的缠绕线圈,且在所述第三绕线组上设有短路过载保护开关5。
本发明结构简单,设计合理,工作稳定性高,损耗小,噪音低,制造成本省,可应用于超高压电网等电路系统中。
以上述依据本发明的理想实施例为启示,通过上述的说明内容,相关工作人员完全可以在不偏离本项发明技术思想的范围内,进行多样的变更以及修改。本项发明的技术性范围并不局限于说明书上的内容,必须要根据权利要求范围来确定其技术性范围。
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