[发明专利]一种低压差线性稳压器及其软启动电路

权利要求书

1.一种低压差线性稳压器的软启动电路，其特征在于，所述软启动电路包括：

第一控制端和第二控制端分别接入相互反相的第一使能控制信号和第二使能控制信号，电源端接入直流电源，地端接等电势地，并从电压为零开始逐步升高电压以输出斜坡电压的斜坡电压产生模块；

第一输入端接入固定参考电压，第二输入端连接斜坡电压产生模块的输出端，输出端输出所述低压差线性稳压器的参考电压，选择所述固定参考电压与所述斜坡电压中电压最小者作为所述参考电压的电压选择模块。

2.如权利要求1所述的软启动电路，其特征在于，所述斜坡电压产生模块包括：

PMOS功率管Mp8、PMOS功率管Mp9、PMOS功率管Mp10、PMOS功率管Mp11、电流源IB、NMOS功率管Mn5及电容C1；

所述PMOS功率管Mp8的栅极为所述斜坡电压产生模块的第一控制端，所述PMOS功率管Mp8的源极与所述PMOS功率管Mp9的源极以及所述PMOS功率管Mp10的源极的共接点为所述斜坡电压产生模块的电源端，所述PMOS功率管Mp8的漏极与所述PMOS功率管Mp10的栅极、所述PMOS功率管Mp9的栅极和漏极共接于所述PMOS功率管Mp11的源极，所述PMOS功率管Mp11的栅极与所述NMOS功率管Mn5的栅极的共接点为所述斜坡电压产生模块的第二控制端，所述电流源IB的输入端连接所述PMOS功率管Mp11的漏极，所述NMOS功率管Mn5的漏极与所述电容C1的第一端及所述PMOS功率管Mp10的漏极的共接点为所述斜坡电压产生模块的输出端，所述电流源IB的输出端与所述NMOS功率管Mn5的源极以及所述电容C1的第二端的共接点为所述斜坡电压产生模块的地端。

3.如权利要求1所述的软启动电路，其特征在于，所述软启动电路与所述低压差线性稳压器中的误差放大器共用所述电压选择模块；

所述误差放大器包括：

电流源I1、PMOS功率管Mp3、PMOS功率管Mp4、PMOS功率管Mp5、PMOS功率管Mp6、PMOS功率管Mp7、NMOS功率管Mn1、NMOS功率管Mn2、NMOS功率管Mn3、NMOS功率管Mn4以及所述电压选择模块；

所述电流源I1的输入端与所述PMOS功率管Mp5的漏极和栅极共接于所述PMOS功率管Mp4的栅极，所述PMOS功率管Mp4的源极与所述PMOS功率管Mp5的源极、所述PMOS功率管Mp6的源极以及所述PMOS功率管Mp7的源极共接于直流电源，所述PMOS功率管Mp4的漏极与所述电压选择模块的电源端共接于所述PMOS功率管Mp3的源极，所述PMOS功率管Mp3的栅极接入分压反馈电压，所述PMOS功率管Mp6的栅极和漏极与所述PMOS功率管Mp7的栅极共接于所述NMOS功率管Mn1的漏极，所述PMOS功率管Mp7的漏极与所述NMOS功率管Mn2的漏极共接作为所述误差放大器的输出端，所述NMOS功率管Mn1的栅极与所述NMOS功率管Mn2的栅极共接并接入第二控制信号，所述NMOS功率管Mn1的源极与所述PMOS功率管Mp3的漏极共接于所述NMOS功率管Mn3的漏极，所述NMOS功率管Mn2的源极与所述电压选择模块的输出端共接于所述NMOS功率管Mn4的漏极，所述NMOS功率管Mn3的栅极与所述NMOS功率管Mn4的栅极共接并接入第一控制信号，所述电流源I1的输出端与所述NMOS功率管Mn3的源极以及所述NMOS功率管Mn4的源极共接于等电势地。

4.如权利要求3所述的软启动电路，其特征在于，所述电压选择模块包括PMOS功率管Mp1和PMOS功率管Mp2，所述PMOS功率管Mp1的栅极和所述PMOS功率管Mp2的栅极分别为所述电压选择模块的第一输入端和第二输入端，所述PMOS功率管Mp1的源极与所述PMOS功率管Mp2的源极的共接点为所述电压选择模块的电源端，所述PMOS功率管Mp1的漏极与所述PMOS功率管Mp2的漏极的共接点为所述电压选择模块的输出端。

5.一种低压差线性稳压器，其特征在于，所述低压差线性稳压器包括如权利要求1至4任一项所述的软启动电路。