[发明专利]一种多晶硅及其制备方法

权利要求书

1.一种多晶硅的制备方法，其特征在于，所述方法包括如下步骤：

（1）将掺有电活性掺杂剂的硅料装入石英坩埚内，把石英坩埚装入铸锭炉的隔热笼内；

（2）控制铸锭炉加热器的温度为1535—1565℃，使硅料完全熔化，当硅料熔化完全时，控制石英坩埚内底部的温度为1380—1420℃； 

（3）以150—200℃/h的降温速度使铸锭炉加热器的温度降至1425—1440℃后保温30—90min；

（4）以6—8mm/min的速度提升铸锭炉中的隔热笼，使隔热笼底部与铸锭炉下炉腔底部保温层之间的距离为6—8cm，使硅料在石英坩埚底部内面的石英砂表面形核结晶，形成形核源层后进入长晶期；在长晶初期，控制铸锭炉加热器的温度为1425—1440℃，控制隔热笼提升速度为3—5mm/h；在长晶中后期，以1—2℃/h的降温速度使铸锭炉加热器降温，同时控制隔热笼提升速度为6—10mm/h；

（5）将经过上述步骤处理后硅料上长出的晶体再经退火、冷却后即得多晶硅。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤（1）中所述掺有电活性掺杂剂的硅料的目标电阻率为1—2Ω·cm。

3.如权利要求1或2所述的方法，其特征在于，步骤（1）中所述的电活性掺杂剂为硼。

4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤（1）中所述掺有电活性掺杂剂的硅料的装入量为790-850kg。

5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤（1）所述的石英坩埚底部内表面为粗糙面且喷涂有高纯石英砂。