[发明专利]热转印膜及使用其制备的有机电致发光装置有效
申请号: | 201310305592.3 | 申请日: | 2013-07-19 |
公开(公告)号: | CN103568616A | 公开(公告)日: | 2014-02-12 |
发明(设计)人: | 朴时均;姜炅求;朴世铉;李正孝;赵成昕 | 申请(专利权)人: | 第一毛织株式会社 |
主分类号: | B41M5/46 | 分类号: | B41M5/46 |
代理公司: | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人: | 康泉;王珍仙 |
地址: | 韩国庆*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 热转印膜 使用 制备 有机 电致发光 装置 | ||
1.一种热转印膜,所述热转印膜包含:
基层;和
形成在所述基层上表面上的光热转换层,
其中,所述光热转换层包含选自氧化钨颗粒和复合氧化钨颗粒中的至少一种颗粒,并且,
其中,所述颗粒在所述光热转换层中的含量为20wt%至65wt%。
2.根据权利要求1所述的热转印膜,其中,所述颗粒具有大于0至500nm或更小的平均粒径。
3.根据权利要求1所述的热转印膜,其中,所述氧化钨颗粒由化学式WyOz表示,其中,W为钨,O为氧,且2.2≤z/y≤3.0。
4.根据权利要求1所述的热转印膜,其中,所述复合氧化钨颗粒由化学式MxWyOz表示,其中,M为选自H、He、碱金属、碱土金属、稀土元素、卤素、Zr、Cr、Mn、Fe、Ru、Co、Rh、Ir、Ni、Pd、Pt、Cu、Ag、Au、Zn、Cd、Al、Ga、In、Tl、Si、Ge、Sn、Pb、Sb、B、P、S、Se、Te、Ti、Nb、V、Mo、Ta、Re、Hf、Os和Bi中的至少一种元素;W为钨;O为氧;0.001≤x/y≤1.1;且2.2≤z/y≤3.0。
5.根据权利要求1所述的热转印膜,其中,所述光热转换层包含组合物的固化产物,所述组合物包含选自所述氧化钨颗粒和所述复合氧化钨颗粒中的至少一种颗粒和粘合剂。
6.根据权利要求5所述的热转印膜,其中,所述组合物进一步包含引发剂。
7.根据权利要求6所述的热转印膜,其中,以固体含量计,所述组合物包含20wt%至65wt%的所述颗粒,10wt%至75wt%的所述粘合剂和0.1wt%至25wt%的所述引发剂。
8.根据权利要求5所述的热转印膜,其中,所述粘合剂包含UV固化的(甲基)丙烯酸酯树脂。
9.根据权利要求6所述的热转印膜,其中,所述组合物进一步包含丙烯酸类聚合物分散剂。
10.根据权利要求9所述的热转印膜,其中,以固体含量计,所述组合物包含20wt%至65wt%的所述颗粒、10wt%至75wt%的所述粘合剂、0.1wt%至25wt%的所述引发剂和0.1wt%至30wt%的所述丙烯酸类聚合物分散剂。
11.根据权利要求9所述的热转印膜,其中,以包含所述颗粒、所述丙烯酸类聚合物分散剂和溶剂的分散液的形式包含所述颗粒。
12.根据权利要求11所述的热转印膜,其中,所述分散液包含20wt%至65wt%的所述颗粒、0.1wt%至30wt%的所述丙烯酸类聚合物分散剂及余量的所述溶剂。
13.根据权利要求1所述的热转印膜,其中,所述光热转换层具有大于0至6μm或更小的涂布厚度。
14.根据权利要求1所述的热转印膜,进一步包含中间层。
15.根据权利要求1所述的热转印膜,其中,所述光热转换层进一步包含炭黑。
16.根据权利要求15所述的热转印膜,其中,在所述颗粒和所述炭黑的混合物中,所述光热转换层包含1wt%至70wt%的所述颗粒和30wt%至99wt%的所述炭黑。
17.一种有机电致发光装置,所述有机电致发光装置使用根据权利要求1至16的任一项所述热转印膜作为供体膜制备。
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