[发明专利]有机电致发光器件及其制备方法

说明书

技术领域

本发明涉及光电子器件领域，尤其涉及一种有机电致发光器件。本发明还涉及该有机电致发光器件的制备方法。

背景技术

在传统的发光器件中，器件内部的光只有18%左右是可以发射到外部去的，而其他的部分会以其他形式消耗在器件外部，界面之间存在折射率的差（如玻璃与ITO之间的折射率之差，玻璃折射率为1.5，ITO为1.8，光从ITO到达玻璃，就会发生全反射），引起了全反射的损失，从而导致整体出光性能较低。

发明内容

本发明的目的在于解决上述现有技术存在的问题和不足，提供一种有机电致发光器件及其制备方法，通过制备阴极复合层，来提高有机电致发光器件的出光效率。

本发明针对上述技术问题而提出的技术方案为：一种有机电致发光器件，该有机电致发光器件为层状结构，该层状结构依次层叠为：阳极导电基底、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层以及阴极复合层，所述阴极复合层由依次层叠的第五副族金属氧化物层、结晶层和第五副族金属化合物掺杂层组成；其中，

所述第五副族金属氧化物层的材质为五氧化二钽、五氧化二铌或五氧化二钒；

所述结晶层的材质为酞菁铜、酞菁锌、酞菁镁或酞菁钒；

所述的第五副族金属化合物掺杂层由质量比为1:1~5:1的第五副族金属化合物与高功函数金属组成，该第五副族金属化合物为五氧化二钽、五氧化二铌或五氧化二钒，该高功函数金属为银、铝、铂或金。

进一步地，所述第五副族金属氧化物层的厚度为10nm～40nm。

进一步地，所述结晶层的厚度为200nm～400nm。

进一步地，所述第五副族金属化合物掺杂层的厚度为200nm～500nm。

进一步地，所述阳极导电基底的材质为铟锡氧化物玻璃、铝锌氧化物玻璃或铟锌氧化物玻璃；

所述空穴注入层的材质为三氧化钼、三氧化钨或五氧化二钒；

所述空穴传输层的材质为1，1-二[4-[N，N′-二(p-甲苯基)氨基]苯基]环己烷、4,4',4''-三(咔唑-9-基)三苯胺或N，N′-（1-萘基）- N，N′-二苯基-4,4′-联苯二胺；

所述发光层的材质为4-（二腈甲基）-2-丁基-6-（1,1,7,7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基）-4H-吡喃、9,10-二-β-亚萘基蒽、4,4'-双(9-乙基-3-咔唑乙烯基)-1,1'-联苯或8-羟基喹啉铝；

所述电子传输层的材质为4,7-二苯基-1,10-菲罗啉、1,2,4-三唑衍生物或N-芳基苯并咪唑；

所述电子注入层的材质为碳酸铯、氟化铯、叠氮铯或者氟化锂。

本发明还提出一种有机电致发光器件的制备方法，其包括如下步骤：

(a)清洗干净阳极导电基底，用蒸镀的方法在阳极导电基底上依次层叠制备空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层和电子注入层；

(b)在蒸镀的方法下，在电子注入层上制备第五副族金属氧化物层，然后在第五副族金属氧化物层上制备结晶层，接着在结晶层上制备第五副族金属化合物掺杂层；其中，

所述第五副族金属氧化物层的材质为五氧化二钽、五氧化二铌或五氧化二钒；

所述结晶层的材质为酞菁铜、酞菁锌、酞菁镁或酞菁钒；

所述的第五副族金属化合物掺杂层具有质量比为1:1~5:1的第五副族金属化合物与高功函数金属，该第五副族金属化合物为五氧化二钽、五氧化二铌或五氧化二钒，该高功函数金属为银、铝、铂或金。

进一步地，所述第五副族金属氧化物层的厚度为10nm～40nm。

进一步地，所述结晶层的厚度为200nm～400nm。

进一步地，所述的第五副族金属化合物掺杂层的厚度为200nm～500nm。

进一步地，所述蒸镀的压强为2×10^-3~5×10^-5Pa，在空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层和阴极复合层中，有机材料的蒸镀速率为0.1~1nm/s，金属及金属化合物的蒸镀速率为1~10nm/s，蒸镀的能量密度为10～l00W/cm²。