[发明专利]截面样品的制备方法在审
| 申请号： | 201310285548.0 | 申请日： | 2013-07-08 |
| 公开（公告）号： | CN104280261A | 公开（公告）日： | 2015-01-14 |
| 发明（设计）人： | 刘文晓;戴海波;李日鑫 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | G01N1/04 | 分类号： | G01N1/04;G01Q30/02 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 截面 样品 制备 方法 | ||
1.一种截面样品的制备方法，包括:
步骤一：提供晶圆样品，所述晶圆样品具有衬底以及待测目标，所述晶圆样品具有目标截面，所述目标截面穿过所述待测目标，并位于第一方向上；
步骤二：在所述晶圆样品上制备一激光标记，所述激光标记位于所述目标截面上；
步骤三：根据所述激光标记，对所述晶圆样品进行手工切割，以得到截面样品。
2.如权利要求1所述的截面样品的制备方法，其特征在于，在所述步骤一和步骤二之间，还包括：在所述晶圆样品制备一离子束标记，所述离子束标记位于所述目标截面上。
3.如权利要求2所述的截面样品的制备方法，其特征在于，采用聚焦离子束在所述晶圆样品制备所述离子束标记。
4.如权利要求2所述的截面样品的制备方法，其特征在于，在所述步骤二中，在所述离子束标记上制备所述激光标记。
5.如权利要求1-4中任意一项所述的截面样品的制备方法，其特征在于，所述晶圆样品的尺寸为5mm×5mm～15mm×15mm。
6.如权利要求5所述的截面样品的制备方法，其特征在于，所述步骤一包括：
提供原始样品，所述原始样品具有所述衬底以及所述待测目标；以及
对所述原始样品进行手工切割，以形成所述晶圆样品。
7.如权利要求1-4中任意一项所述的截面样品的制备方法，其特征在于，采用激光打标机在所述晶圆样品上制备所述激光标记。
8.如权利要求1-4中任意一项所述的截面样品的制备方法，其特征在于，在所述步骤三之后，还包括：对所述截面样品在第二方向上进行手工切割，所述第二方向与所述第一方向相垂直。
9.如权利要求1-4中任意一项所述的截面样品的制备方法，其特征在于，所述截面样品的尺寸为3mm×3mm～7mm×7mm。
10.如权利要求1-4中任意一项所述的截面样品的制备方法，其特征在于，所述第一方向为所述衬底的100方向或110方向。
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