[发明专利]读取电压设定方法、控制电路与存储器储存装置

说明书

本发明提供一种读取电压设定方法、控制电路与存储器储存装置。方法包括：读取储存于字线的存储单元中的检测数据来获取对应的临界电压分布，并根据此临界电压分布来判断对应此字线的预设读取电压；施予依据预设读取电压所获得的多个检测读取电压至此字线以读取多个检测页数据；以及根据此些检测页数据的错误比特数之中的最小错误比特数，决定对应此字线的优化读取电压。本方法还包括计算优化读取电压与预设读取电压之间的差值作为对应此字线的读取电压调整值；以及在重读表中记录对应此位线的读取电压调整值。

技术领域

本发明是有关于一种读取电压设定方法、控制电路与存储器储存装置。

背景技术

数码相机、手机与MP3在这几年来的成长十分迅速，使得消费者对储存介质的需求也急速增加。由于可复写式非易失性存储器(rewritable non-volatile memory)具有数据非易失性、省电、体积小、无机械结构、读写速度快等特性，最适于可携式电子产品，例如笔记本电脑。固态硬盘就是一种以闪存作为储存介质的储存装置。因此，近年闪存产业成为电子产业中相当热门的一环。

图1是根据现有技术所绘示的闪存元件的示意图。

请参照图1，闪存元件1包含用于储存电子的电荷捕捉层(charge traping layer)2、用于施加电压的控制栅极(Control Gate)3、穿遂氧化层(Tunnel Oxide)4与多晶硅间介电层(Interpoly Dielectric)5。当欲写入数据至闪存元件1时，可通过将电子注入电荷补捉层2以改变闪存元件1的临界电压，由此定义闪存元件1的数字高低态，而实现储存数据的功能。在此，注入电子至电荷补捉层2的过程称为程序化。反之，当欲将所储存的数据移除时，通过将所注入的电子从电荷补捉层2中移除，则可使闪存元件1回复为未被程序化前的状态。

然而，在生产过程中，可能会因为制程的变异，使闪存元件的临界电压分布偏移，以致于闪存元件1的储存状态可能无法被正确地识别。

发明内容

本发明提供一种读取电压设定方法以及使用此方法的控制电路与存储器储存装置，其能够根据存储单元的临界电压分布设定适当的读取电压调整值，以正确地识别存储单元的储存状态。

本发明范例实施例提出一种读取电压设定方法，用于可复写式非易失性存储器模块，其中此可复写式非易失性存储器模块具有多个存储单元、多条字线与多条位线，每一存储单元与此些字线的其中一条字线以及此些位线的其中一条位线电性连接，每一存储单元可储存多个比特数据，每一比特数据可根据一电压被识别为第一状态或第二状态。本读取电压设定方法包括：将数据程序化至此些字线之中的第一字线所连接的多个存储单元中；读取储存于第一字线的存储单元中的数据来获取对应第一字线的存储单元的临界电压分布；并且根据第一字线的存储单元的临界电压分布的峰值来判断对应第一字线的第一预设读取电压。

在本发明的一范例实施例中，上述读取电压设定方法还包括调整第一预设读取电压以获得多个第一检测读取电压；分别地施予此些第一检测读取电压至第一字线以读取多个第一页数据；根据此检测数据与此些第一页数据获取对应每一第一页数据的错误比特数；以及根据此些第一页数据的错误比特数之中的最小错误比特数，从此些第一检测读取电压之中获取对应第一字线的第一优化读取电压。本读取电压设定方法还包括计算第一优化读取电压与第一预设读取电压之间的差值作为对应第一字线的第一读取电压调整值；以及在重读表中记录对应第一字线的第一读取电压调整值。

在本发明的一范例实施例中，上述读取储存于第一字线的存储单元中的数据来获取对应第一字线的存储单元的临界电压分布的步骤包括：施予多个扫描电压至第一字线，以从连接至第一字线的存储单元中读取对应每一扫描电压的多个扫描比特数据；分别地计算对应此些扫描电压的扫描比特数据之中被识别为第一状态的比特数据的多个第一状态比特数据增加量；以及根据分别地对应此些扫描电压的第一状态比特数据增加量获取第一字线的存储单元的临界电压分布。