[发明专利]读取电压设定方法、控制电路与存储器储存装置有效
申请号: | 201310284758.8 | 申请日: | 2013-07-08 |
公开(公告)号: | CN104282339B | 公开(公告)日: | 2018-12-14 |
发明(设计)人: | 林纬;许祐诚;林小东;吴宗霖;郑国义 | 申请(专利权)人: | 群联电子股份有限公司 |
主分类号: | G11C16/26 | 分类号: | G11C16/26 |
代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人: | 臧建明 |
地址: | 中国台湾*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 读取 电压 设定 方法 控制电路 存储器 储存 装置 | ||
1.一种读取电压设定方法,用于一可复写式非易失性存储器模块,其特征在于,该可复写式非易失性存储器模块具有多个存储单元、多条字线与多条位线,每一该些存储单元与该些字线的其中一条字线以及该些位线的其中一条位线电性连接,每一该些存储单元可储存多个比特数据,每一该些比特数据可根据一电压被识别为一第一状态或一第二状态,该数据读取方法包括:
将一数据程序化至该些字线之中的一第一字线所连接的多个存储单元中;
读取储存于该第一字线的该些存储单元中的该数据来获取对应该第一字线的该些存储单元的一临界电压分布;
施予多个扫描电压于该第一字线上,并根据各该扫描电压对应的错误比特数据得到多个错误比特数据增加量;以及
根据该第一字线的该些存储单元的该临界电压分布的一峰值与该些错误比特数据增加量来判断对应该第一字线的一第一预设读取电压。
2.根据权利要求1所述的读取电压设定方法,其特征在于,还包括:
调整该第一预设读取电压以获得多个第一检测读取电压;
分别地施予该些第一检测读取电压至该第一字线以读取多个第一页数据;
根据该数据与该些第一页数据获取对应每一该些第一页数据的一错误比特数;
根据该些第一页数据的错误比特数之中的一最小错误比特数,从该些第一检测读取电压之中获取对应该第一字线的一第一优化读取电压;
计算该第一优化读取电压与该第一预设读取电压之间的一差值作为对应该第一字线的一第一读取电压调整值;以及
在一重读表中记录对应该第一字线的该第一读取电压调整值。
3.根据权利要求2所述的读取电压设定方法,其特征在于,上述读取储存于该第一字线的该些存储单元中的该数据来获取对应该第一字线的该些存储单元的该临界电压分布的步骤包括:
施予多个扫描电压至该第一字线,以从连接至该第一字线的该些存储单元中读取对应每一该些扫描电压的多个扫描比特数据;
分别地计算对应该些扫描电压的扫描比特数据之中被识别为该第一状态的比特数据的多个第一状态比特数据增加量;以及
根据分别地对应该些扫描电压的该些第一状态比特数据增加量获取该第一字线的该些存储单元的该临界电压分布。
4.根据权利要求1所述的读取电压设定方法,其特征在于,上述根据该第一字线的该些存储单元的该临界电压分布的该峰值与对应该些扫描电压的该些错误比特数据增加量来判断对应该第一字线的该第一预设读取电压的步骤包括:
搜寻该临界电压分布中的该峰值;
根据对应该些扫描电压的该些错误比特数据增加量之中的一最大错误比特数据增加量识别出该些扫描电压之中对应该峰值的一扫描电压;以及
根据该些扫描电压之中对应该峰值的该扫描电压获取相对于对应该第一字线的一第一预设读取电压的一电压变化量并且根据该电压变化量识别该第一预设读取电压,其中该电压变化量加上该第一预设读取电压等于对应该峰值的该扫描电压。
5.根据权利要求2所述的读取电压设定方法,其特征在于,还包括:
使用该第一预设读取电压从该第一字线的该些存储单元中读取多个比特数据;
判断使用该第一预设读取电压从该第一字线的该些存储单元中读取的该些比特数据是否可根据一对应错误校正码来错误校正以获得一第二页数据;以及
当使用该第一预设读取电压从该第一字线的该些存储单元中读取的该些比特数据无法根据该对应错误校正码来被错误校正以获取该第二页数据时,使用该第一读取电压调整值调整该第一预设读取电压以获取一第一新读取电压,并且施予该第一新读取电压至该第一字线以获取该第二页数据。
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