[发明专利]一种像素结构、阵列基板及显示装置

说明书

技术领域

本发明属于液晶显示技术领域，具体涉及一种像素结构、阵列基板及显示装置。

背景技术

薄膜晶体管液晶显示装置（Thin Film Transistor Liquid Crystal Display，简称TFT-LCD）是一种主要的平板显示装置（Flat Panel Display，简称FPD）。

根据驱动液晶的电场方向，TFT-LCD分为垂直电场型和水平电场型。其中，垂直电场型TFT-LCD需要在阵列基板上形成像素电极，在彩膜基板上形成公共电极；然而水平电场型TFT-LCD需要在阵列基板上同时形成像素电极和公共电极。水平电场型TFT-LCD，尤其是ADS型TFT-LCD具有广视角、开口率高等优点，广泛应用于液晶显示技术领域。

如图1所示，ADS型TFT-LCD有多种不同类型，但这些不同类型的ADS型TFT-LCD都有一个共同点，通过板状电极102和狭缝电极103形成水平电场。其中板状电极102可为公共电极而狭缝电极103为像素电极，或者也可反之。

结合图2所示，ADS型TFT-LCD包括板状电极102和位于板状电极102上的一层狭缝电极103（包括条状的电极部1031和狭缝1032且与板状电极102通过绝缘层104隔开），板状电极102设于基底101上方(狭缝电极103和片状电极102的材料均可采用透明的氧化铟锡（ITO）等。但现有的一层结构的狭缝电极103设计会导致电场分布不合理，在图2中可以看出，在狭缝电极103的中部会形成较宽的暗影区Q1，导致透过率下降，引起使用者对产品性能的满意度降低。

发明内容

本发明所要解决的技术问题包括，针对现有的像素结构的狭缝电极中间会形成的暗影区较宽的问题，提供一种可以减少暗影区的像素结构、阵列基板及显示装置。

解决本发明技术问题所采用的技术方案是一种像素结构，包括狭缝电极和板状电极，所述狭缝电极包括至少两层结构，每层结构包括多个电极部以及位于相邻的电极部之间的多个狭缝，上层结构的电极部设于下层结构的狭缝上方，且所有各层的电极部在基底上的投影均不重合；所述板状电极设于狭缝电极下方，且与狭缝电极间通过绝缘层隔开。

本发明的像素结构的狭缝电极的所有层的电极部宽度之和远大于现有的像素结构的狭缝电极的电极部宽度之和，因而使得狭缝电极与板状电极的总相对面积增大，进而使得狭缝电极与板状电极间的电场强度增大，从而可以有效地减少像素结构的暗影区。

优选的是所述狭缝电极的每层结构的所有电极部电连接；所述狭缝电极的各层结构之间电连接。

进一步优选的是，所述狭缝电极的每层结构的所有电极部通过连接条电连接；

所述狭缝电极的各层结构的连接条或电极部通过贯穿狭缝电极各层结构间的绝缘层的过孔或外围引线电连接。

优选的是，所述狭缝电极任意一层结构中的狭缝的宽度均在3～6um之间。

优选的是，所述狭缝电极任意一层结构中的电极部宽度均在2～3um之间。

优选的是，所述狭缝电极包括两层结构。

进一步优选的是，所述狭缝电极为像素电极，所述板状电极为公共电极，或

所述狭缝电极为公共电极，所述板状电极为像素电极。

进一步优选的是，所述狭缝电极材料为氧化铟锡，所述板状电极材料为氧化铟锡。

解决本发明技术问题所采用的技术方案是一种阵列基板，包括上述任意一种像素结构。

由于本发明的阵列基板包括上述像素结构，故其透过率高。

解决本发明技术问题所采用的技术方案是一种显示装置，包括上述阵列基板。

由于该显示装置包括上述阵列基板，故其显示效果更好。

附图说明

图1为现有的像素结构的结构示意图；

图2为现有的像素结构的发光强度的仿真图；

图3为本发明的实施例1的像素结构的结构示意图；

图4为本发明的实施例1的像素结构的发光强度的仿真图；以及，

图5为本发明的实施例1与现有的像素结构的透过率仿真比较图。

其中附图标记为：101、基底；102、板状电极；103、狭缝电极；1031、电极部；1032、狭缝；104、绝缘层；Q1、暗影区；S1、现有的像素结构的透过率曲线；S2、本发明的实施例1的像素结构的透过率曲线。

具体实施方式

为使本领域技术人员更好地理解本发明的技术方案，下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步详细描述。

实施例1：