[发明专利]一种像素结构、阵列基板及显示装置有效
| 申请号： | 201310274803.1 | 申请日： | 2013-07-02 |
| 公开（公告）号： | CN103336393A | 公开（公告）日： | 2013-10-02 |
| 发明（设计）人： | 王学路 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司;鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司 |
| 主分类号： | G02F1/1343 | 分类号： | G02F1/1343 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 柴亮;张天舒 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 像素 结构 阵列 显示装置 | ||
1.一种像素结构，包括狭缝电极和板状电极，其特征在于，
所述狭缝电极包括至少两层结构，每层结构包括多个条状的电极部以及位于相邻的电极部之间的多个狭缝，上层结构的电极部设于下层结构的狭缝上方，且所有各层的电极部在基底上的投影均不重合；
所述板状电极设于狭缝电极下方，且与狭缝电极间通过绝缘层隔开。
2.根据权利要求1所述的像素结构，其特征在于，所述狭缝电极的每层结构的所有电极部电连接；
所述狭缝电极的各层结构之间电连接。
3.根据权利要求2所述的像素结构，其特征在于，所述狭缝电极的每层结构的所有电极部通过连接条电连接；
所述狭缝电极的各层结构的连接条或电极部通过贯穿狭缝电极各层结构间的绝缘层的过孔或外围引线电连接。
4.根据权利要求1所述的像素结构，其特征在于，所述狭缝电极任意一层结构中的狭缝的宽度均在3～6um之间。
5.根据权利要求1所述的像素结构，其特征在于，所述狭缝电极任意一层结构中的电极部宽度均在2～3um之间。
6.根据权利要求1所述的像素结构，其特征在于，所述狭缝电极包括两层结构。
7.根据权利要求1～6中任意一项所述的像素结构，其特征在于，
所述狭缝电极为像素电极，所述板状电极为公共电极，
或
所述狭缝电极为公共电极，所述板状电极为像素电极。
8.根据权利要求1～6中任意一项所述的像素结构，其特征在于，所述狭缝电极材料为氧化铟锡，所述板状电极材料为氧化铟锡。
9.一种TFT-LCD阵列基板，其特征在于，包括权利要求1～8中任意一项所述的像素结构。
10.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求8所述的阵列基板。
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