[发明专利]一种薄膜晶体管阵列基板、制造方法以及液晶显示面板

权利要求书

1.一种薄膜晶体管阵列基板，包括基板，其特征在于，所述薄膜晶体管阵列基板中央区域为显示区域，所述显示区域四周为非显示区域；

所述非显示区域包括栅极驱动电路区域和数据线引线区域；

所述栅极驱动电路区域形成有栅极驱动电路膜层，所述栅极驱动电路膜层包括依次层叠于所述基板上的第一金属层、绝缘层、半导体层、第二金属层、钝化层：

所述数据线引线区域形成有引线膜层，所述引线膜层包括依次层叠于所述基板上的绝缘层、第二金属层、钝化层；

所述引线膜层还包括一层或多层增高层，所述增高层、绝缘层、第二金属层和钝化层层叠。

2.如权利要求1所述的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，所述数据线引线区域形成有引线膜层的最大厚度H1与所述栅极驱动电路膜层的最大厚度H2满足：(H1/H2)-1的取值范围为-2％～2％。

3.如权利要求1所述的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，所述增高层包括位于绝缘层和第二金属层之间的第一子增高层，以及位于钝化层上的第二子增高层，所述第一子增高层与第二子增高层均为半导体层。

4.如权利要求1所述的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，所述数据线引线分为位于所述绝缘层下的多条第一数据线引线和位于所述绝缘层上不与第一数据引线位置重叠的多条第二数据线引线；所述第一数据线引线由第一金属层构成，所述第二数据线引线由第二金属层构成；所述第二数据线引线所在位置的引线膜层包括第一子增高层、第二子增高层，所述第二数据线引线所在位置的所述引线膜层从下到上依次为所述绝缘层、所述第一子增高层、所述第二金属层、所述钝化层和第二子增高层。

5.如权利要求1所述的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，所述薄膜晶体管阵列基板还包括公共电极线引线区域，所述公共电极线引线分为位于所述绝缘层下面的多条第一公共电极线引线和位于所述绝缘层上的多条第二公共电极线引线，所述第一公共电极线引线由第一金属层构成，所述第二公共电极线引线由第二金属层构成，所述公共电极线引线所在位置的引线膜层包括第三子增高层、第四子增高层、第五子增高层和第六子增高层；所述第一公共电极线引线所在位置的所述引线膜层从下到上为所述第一金属层、所述绝缘层、所述第三子增高层、所述钝化层和所述第四子增高层；所述第二公共电极线引线所在位置的所述引线膜层从下到上为所述绝缘层、所述第五子增高层、所述第二金属层、所述钝化层和所述第六子增高层，所述第三子增高层、第四子增高层、第五子增高层和第六子增高层均为半导体层。

6.一种薄膜晶体管阵列基板，包括基板，其特征在于，所述薄膜晶体管阵列基板中央区域为显示区域，所述显示区域四周为非显示区域；

所述非显示区域包括栅极驱动电路区域和数据线引线区域；

所述栅极驱动电路区域形成有栅极驱动电路膜层，所述栅极驱动电路膜层包括依次层叠于所述基板上的第一金属层、绝缘层、半导体层、第二金属层、钝化层：

所述数据线引线区域形成有引线膜层，所述引线膜层包括依次层叠于所述基板上的第一金属层、绝缘层、钝化层；

所述引线膜层还包括一层或多层增高层，所述增高层、第一金属层、绝缘层和钝化层层叠。

7.如权利要求6所述的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，所述数据线引线区域形成有引线膜层的最大厚度H3与所述栅极驱动电路膜层的最大厚度H2满足：(H3/H2)-1的取值范围为-2％～2％。

8.如权利要求6所述的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，所述增高层包括位于绝缘层和钝化层之间的第七子增高层，以及位于钝化层上的第八子增高层，所述第七子增高层与第八子增高层均为半导体层。