[发明专利]用于晶圆级封装的电镀铜溶液及电镀方法

权利要求书

1.一种用于晶圆级封装的电镀铜溶液，其特征在于，包括：

铜盐：120-300g/L；酸：10-200g/L；氯离子：30-80mg/L；添加剂，所述添加剂包括以下用量的组分：

含硫化合物：0.001-0.3g/L；

聚氧醚类化合物：0.5-10g/L;

聚乙二醇：0.05-5g/L；

季铵盐：0.001-0.2g/L；

所述铜盐为无水硫酸铜，五水硫酸铜，甲基磺酸铜中的一种或几种；

所述酸为硫酸，甲基磺酸中的一种或两种；

所述聚氧醚类化合物是脂肪胺聚氧乙烯醚，聚氧丙烯甘油醚中的一种或两种。

2.根据权利要求1所述用于晶圆级封装的电镀铜溶液，其特征在于，包括：

铜盐：180-300g/L；酸：50-100g/L；氯离子：40-70mg/L，添加剂，所述添加剂包括以下用量的组分：

含硫化合物：0.01-0.2g/L；

聚氧醚类化合物：0.75-8g/L;

聚乙二醇：0.1-3.8g/L；

季铵盐：0.002-0.2g/L。

3.根据权利要求1所述用于晶圆级封装的电镀铜溶液，其特征在于，包括：

铜盐：180-300g/L；酸：50-80g/L；氯离子：40-60mg/L，添加剂，所述添加剂包括以下用量的组分：

含硫化合物：0.02-0.2g/L；

聚氧醚类化合物：3-7g/L;

聚乙二醇：0.8-2.5g/L；

季铵盐：0.02-0.2g/L。

4.根据权利要求1-3任一项所述用于晶圆级封装的电镀铜溶液，其特征在于，所述聚氧醚类化合物为聚氧丙烯甘油醚。

5.根据权利要求1-3任一项所述用于晶圆级封装的电镀铜溶液，其特征在于，所述含硫化合物为2-巯基噻唑啉、异硫脲丙磺酸内盐、3-(苯并噻唑-2-巯基）-丙烷磺酸盐中的一种或几种。

6.根据权利要求5所述用于晶圆级封装的电镀铜溶液，其特征在于，所述含硫化合物为异硫脲丙磺酸内盐、3-(苯并噻唑-2-巯基）-丙烷磺酸盐的一种或两种。

7.根据权利要求1-3任一项所述用于晶圆级封装的电镀铜溶液，其特征在于，所述聚乙二醇为PEG300，400，600，800，1000，1500，2000，3000，4000,5000，6000，8000，10000中的一种或几种；所述季铵盐为聚乙烯亚胺季铵盐，水溶性阳离子季铵盐中的一种或两种。

8.根据权利要求7所述用于晶圆级封装的电镀铜溶液，其特征在于，所述聚乙二醇为PEG6000，8000，10000中的一种或几种。

9.一种电镀方法，其特征在于，使用的电镀铜溶液为权利要求1-8任一项所述的用于晶圆级封装的电镀铜溶液，在晶圆级封装的铜硅通孔制程和铜柱制程中，电镀的工艺参数为：镀液温度为10-50℃，电流密度为0.2-20A/dm²。

10.根据权利要求9所述的电镀方法，其特征在于，所述铜硅通孔制程的电镀工艺参数为：镀液温度为15-30℃，电流密度为0.3-4A/dm²；所述铜柱制程的电镀工艺参数为：镀液温度为20-40℃，电流密度为3-15A/dm²。