[发明专利]一种尺寸密度可控铝纳米颗粒阵列的制备方法有效
| 申请号： | 201310250357.0 | 申请日： | 2013-06-21 |
| 公开（公告）号： | CN103320753A | 公开（公告）日： | 2013-09-25 |
| 发明（设计）人： | 黄凯;陈雪;康俊勇;高娜;杨旭 | 申请（专利权）人： | 厦门大学 |
| 主分类号： | C23C14/30 | 分类号： | C23C14/30;C23C14/14;B22F9/04 |
| 代理公司： | 厦门南强之路专利事务所(普通合伙) 35200 | 代理人： | 马应森 |
| 地址： | 361005 *** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 尺寸 密度 可控 纳米 颗粒 阵列 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种尺寸密度可控铝纳米颗粒阵列的制备方法，其特征在于包括以下步骤：
1）在E-Beam生长腔体中，放入样品台，然后将衬底放置于样品台上；
2）将铝置于E-Beam生长腔体内，用高能电子束轰击膜料铝，使之表面产生很高的温度后由固态直接升华到气态，并沉积在衬底上，完成尺寸密度可控铝纳米颗粒阵列的制备。
2.如权利要求1所述一种尺寸密度可控铝纳米颗粒阵列的制备方法，其特征在于在步骤1）中，所述样品台采用倾角为0～90°的纸质楔形台或其他楔形绝缘体作为样品台。
3.如权利要求1所述一种尺寸密度可控铝纳米颗粒阵列的制备方法，其特征在于在步骤1）中，所述衬底选自硅、二氧化硅、玻璃、石英、蓝宝石、氮化镓衬底中的一种。
4.如权利要求1所述一种尺寸密度可控铝纳米颗粒阵列的制备方法，其特征在于在步骤2）中，所述E-Beam生长腔体内的真空度为5×10-6Torr。
5.如权利要求1所述一种尺寸密度可控铝纳米颗粒阵列的制备方法，其特征在于在步骤2）中，所述沉积的生长工作压强为10-5Torr，生长温度为25～30℃，生长速率为0.1nm/s。
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