[发明专利]反向导通IGBT

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

第一导电类型的第一发射极区域，与第一导电类型互补的第二导电类型的第二发射极区域，以及布置在半导体本体中的第二导电类型的漂移区域；

第一电极，其中第一发射极区域和第二发射极区域布置在漂移区域和第一电极之间并且均连接到第一电极；

包括至少一个器件单元的单元区域，所述至少一个器件单元包括毗邻漂移区域的第一导电类型的本体区域，毗邻本体区域的第二导电类型的源极区域，以及毗邻本体区域并且通过栅极电介质与本体区域电介质绝缘的栅极电极；

第二电极，其电连接到所述至少一个器件单元的源极区域和本体区域；

布置在单元区域外部第一导电类型的至少一个第一寄生区域；以及

在单元区域中位于至少一个器件单元之间的第一导电类型的浮置半导体区域；

其中所述至少一个第一寄生区域是浮置的；以及

其中第二发射极区域配置为提供经由二极管在第一和第二电极之间完全在单元区域内的导电路径，所述二极管在器件单元的反向偏置模式下被正向偏置，所述二极管包括在本体区域和漂移区域之间的pn结和第二发射极区域。

2.根据权利要求1的半导体器件，其中所述半导体器件包括第一表面、与第一表面相对的第二表面以及在第一表面和第二表面之间延伸的边缘侧，所述半导体器件还包括：

边缘终止结构，毗邻所述边缘侧且将单元区域与边缘侧分开；以及

其中所述至少一个第一寄生区域为边缘终止结构的一部分。

3.根据权利要求1的半导体器件，还包括：

电连接到栅极电极的栅极垫或栅极通孔，其布置在半导体本体之上并且远离单元区域；以及

其中所述至少一个第一寄生区域至少部分地布置在半导体本体中的栅极垫或栅极通孔之下。

4.根据权利要求1的半导体器件，还包括：

第二寄生区域，其远离所述至少一个第一寄生区域并且位于单元区域外部。

5.根据权利要求4的半导体器件，其中第二寄生区域毗邻至少一个器件单元的栅极电介质。

6.根据权利要求1的半导体器件，还包括：

至少一个平面导体，其在半导体本体之上布置在单元区域外部并且电连接到栅极电极。

7.根据权利要求6的半导体器件，还包括：

边缘终止结构，其布置在单元区域外部，该边缘终止结构包括至少一个场板；以及

其中所述至少一个平面导体进一步连接到所述至少一个场板。

8.根据权利要求6的半导体器件，还包括：

栅极垫或栅极通孔，其布置在单元区域外部并且布置在半导体本体的第一表面之上；以及

其中所述至少一个平面导体进一步连接到栅极垫或栅极通孔。

9.根据权利要求6的半导体器件，还包括：

电连接到所述至少一个平面导体的第一沟槽电极和第二沟槽电极，所述第一沟槽电极和第二沟槽电极均布置在沟槽中并且与半导体本体电介质绝缘。

10.根据权利要求9的半导体器件，其中第一沟槽电极和第二沟槽电极围绕单元区域。

11.根据权利要求9的半导体器件，其中所述至少一个第一寄生区域毗邻具有第一沟槽电极的沟槽。

12.根据权利要求9的半导体器件，其中漂移区域的节段延伸到第一沟槽电极和第二沟槽电极之间的半导体本体的第一表面。

13.根据权利要求9的半导体器件，其中所述至少一个第一寄生区域的节段延伸到第一沟槽电极和第二沟槽电极之间的半导体本体的第一表面。

14.根据权利要求1的半导体器件，其中浮置半导体区域毗邻半导体本体的第一表面。

15.根据权利要求1的半导体器件，

其中每个器件单元的栅极电极布置在围绕器件单元的本体区域的沟槽中，以及

其中相邻器件单元的栅极电极通过布置在半导体本体之上的导体而电连接。

16.根据权利要求1的半导体器件，其中所述至少一个第一寄生区域电连接到浮置半导体区域。