[发明专利]一种浸没式光刻机及其流场维持方法

权利要求书

1.一种浸没式光刻机，包括主框架、从上至下依次固定于所述主框架上的照明系统、投影物镜以及硅片台，所述硅片台上放置有涂有感光光刻胶的硅片，所述投影物镜与所述硅片之间填充有浸液，其特征在于，

所述投影物镜与所述硅片之间还设有浸没限制机构，所述浸没限制机构上设有浸液供给开口、抽取开口以及气密封气体进口，所述浸液供给开口为浸液提供补给；

所述抽取开口连接至分立的负压源，为浸液提供抽排负压；

所述气密封气体进口包括第一气密封气体进口和第二气密封气体进口，所述第一气密封气体进口和第二气密封气体进口分别连接至分立的正压源，为浸液提供供气正压。

2.如权利要求1所述的浸没式光刻机，其特征在于，所述第一气密封气体进口中的气体流动方向与所述硅片的表面之间的夹角为45°至70°。

3.如权利要求2所述的浸没式光刻机，其特征在于，所述第二气密封气体进口中的气体流动方向与所述硅片的表面之间的夹角为70°至90°。

4.如权利要求1所述的浸没式光刻机，其特征在于，所述第一气密封气体进口包括第一缓冲结构和设于所述第一缓冲结构底部的喷嘴。

5.如权利要求4所述的浸没式光刻机，其特征在于，所述喷嘴的轴向与所述硅片的上表面之间的夹角为45°至70°。

6.如权利要求1所述的浸没式光刻机，其特征在于，所述第二气密封气体进口的外侧还设有凸起结构。

7.如权利要求6所述的浸没式光刻机，其特征在于，所述凸起结构的下表面的宽度大于0.05mm，且所述凸起结构的下表面与所述硅片的上表面之间的距离小于0.1mm。

8.如权利要求6所述的浸没式光刻机，其特征在于，所述凸起结构的横截面为矩形或梯形。

9.如权利要求1所述的浸没式光刻机，其特征在于，所述抽取开口的上部还设有第二缓冲结构。

10.如权利要求1所述的浸没式光刻机，其特征在于，所述抽取开口设于所述浸液供给开口与所述第一气密封气体进口之间。

11.如权利要求10所述的浸没式光刻机，其特征在于，所述抽取开口为狭缝或多个离散的开口。

12.如权利要求11所述的浸没式光刻机，其特征在于，所述离散的开口的形状为圆形、矩形、椭圆形或三角形中的一种或多种。

13.如权利要求1所述的浸没式光刻机，其特征在于，所述第一气密封气体进口与所述第二气密封气体进口为狭缝。

14.一种浸没式光刻机的流场维持方法，其特征在于，应用于如权利要求1所述的浸没式光刻机中，其步骤包括：

S1：开启所述抽取开口连接的负压源进行抽排；

S2：开启所述第二气密封气体进口连接的正压源，供给湿气密封气体；

S3：开启所述第一气密封气体进口连接的正压源，供给湿气密封气体。

15.如权利要求14所述的流场维持方法，其特征在于，采用第一加湿器控制所述第一气密封气体进口供给的气体湿度。

16.如权利要求14所述的流场维持方法，其特征在于，所述第一气密封气体进口供给的气体的湿度大于80%。

17.如权利要求14所述的流场维持方法，其特征在于，采用第二加湿器控制所述第二气密封气体进口供给的气体湿度。

18.如权利要求14所述的流场维持方法，其特征在于，所述第二气密封气体进口供给的气体湿度大于所述第一气密封气体进口供给的气体湿度。

19.如权利要求14所述的流场维持方法，其特征在于，所述第一气密封气体进口和第二气密封气体进口供给的气体温度与扫描时流场的控制温度相同。

20.如权利要求14所述的流场维持方法，其特征在于，所述抽取开口的抽排量为所述第一气密封气体进口的供给流量与所述第二气密封气体进口的供给流量的和。

21.如权利要求14所述的流场维持方法，其特征在于，所述第二气密封气体进口的供给流量为所述第一气密封气体进口的供给流量的5%～15%之间。