[发明专利]非易失性存储装置

权利要求书

1.一种非易失性存储装置，包括：

读取驱动器单元，所述读取驱动器单元被配置成：在用于输出储存在存储器单元中的数据的正常读取操作中，将读取电流施加到存储器单元；并且在刷新操作中，将比所述读取电流大的刷新电流施加到所述存储器单元。

2.如权利要求1所述的非易失性存储装置，其中，所述刷新电流小于用于将数据写入所述存储器单元中的设定电流和复位电流。

3.一种非易失性存储装置，包括：

电压发生单元，所述电压发生单元被配置成将电源电压提供给感测节点；以及

读取电流发生单元，所述读取电流发生单元与所述感测节点电耦接，并且被配置成响应于读取信号和刷新信号而将读取电流和比所述读取电流大的刷新电流选择性地提供给存储器单元。

4.如权利要求3所述的非易失性存储装置，其中，所述读取电流发生单元包括：

偏置控制部，所述偏置控制部被配置成响应于所述读取信号和所述刷新信号而产生偏置电压；以及

驱动器，所述驱动器被配置成根据所述偏置电压来控制向所述存储器单元提供的电流的幅值。

5.如权利要求4所述的非易失性存储装置，其中，所述驱动器包括晶体管，所述晶体管具有：接收所述偏置电压的栅极；源极和漏极，所述源极和漏极中的一个与所述感测节点电耦接、所述源极和所述栅极中的另一个与所述存储器单元电耦接。

6.如权利要求3所述的非易失性存储装置，还包括：

感测放大器，所述感测放大器被配置成：将所述感测节点的电压电平与参考电压的电平进行比较，并且产生数据输出信号。

7.如权利要求6所述的非易失性存储装置，还包括：

感测放大器控制单元，所述感测放大器控制单元被配置成响应于所述刷新信号而禁止所述感测放大器。

8.如权利要求3所述的非易失性存储装置，还包括：

写入驱动器单元，所述写入驱动器单元被配置成响应于写入信号和数据而将设定电流和复位电流提供给所述存储器单元，

其中，所述刷新电流比所述设定电流和所述复位电流小。

9.一种非易失性存储装置，包括：

电压发生单元，所述电压发生单元被配置成将电源电压提供给感测节点；

感测放大器，所述感测放大器与所述感测节点电耦接，并且被配置成感测感测电压和产生数据输出信号；

数据感测单元，所述数据感测单元被配置成响应于所述数据输出信号而产生设定刷新信号；以及

读取电流发生单元，所述读取电流发生单元被配置成响应于读取信号和所述设定刷新信号而将读取电流和比所述读取电流大的刷新电流选择性地提供给存储器单元。

10.如权利要求9所述的非易失性存储装置，其中，当基于所述数据输出信号经由所述感测放大器感测出设定数据时所述数据感测单元使能所述设定刷新信号，并且当基于所述数据输出信号经由所述感测放大器感测出复位数据时所述数据感测单元禁止所述设定刷新信号。

11.如权利要求9所述的非易失性存储装置，还包括：

感测放大器控制单元，所述感测放大器控制单元被配置成响应于所述设定刷新信号而禁止所述感测放大器。

12.如权利要求9所述的非易失性存储装置，其中，所述读取电流发生单元包括：

偏置控制部，所述偏置控制部被配置成响应于所述读取信号和所述设定刷新信号而产生偏置电压；以及

驱动器，所述驱动器被配置成根据所述偏置电压来控制提供给所述存储器单元的电流的幅值。

13.如权利要求9所述的非易失性存储装置，还包括：

写入驱动器单元，所述写入驱动器单元被配置成响应于写入信号和数据而将设定电流和复位电流提供给所述存储器单元，

其中，所述刷新电流比所述设定电流小。

14.一种非易失性存储装置，包括：

电压发生单元，所述电压发生单元被配置成响应于刷新信号和读取信号而将可变电压提供给感测节点；以及

读取电流发生单元，所述读取电流发生单元与所述感测节点电耦接，并且被配置成响应于所述读取信号和所述刷新信号而将读取电流和比所述读取电流大的刷新电流提供给存储器单元。