[发明专利]高压功率器件用极厚外延片及其制造方法有效
| 申请号： | 201310240216.0 | 申请日： | 2013-06-17 |
| 公开（公告）号： | CN103354242A | 公开（公告）日： | 2013-10-16 |
| 发明（设计）人： | 王浩;邹崇生 | 申请（专利权）人： | 上海晶盟硅材料有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L21/02;H01L21/20 |
| 代理公司： | 上海脱颖律师事务所 31259 | 代理人： | 李强 |
| 地址： | 201707 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 高压 功率 器件 用极厚 外延 及其 制造 方法 | ||
1.高压功率器件用极厚外延片，包括衬底和外延层，其特征在于，所述衬底为6寸以上，所述外延层厚度为100μm以上。
2.根据权利要求1所述的高压功率器件用极厚外延片，其特征在于，所述衬底为6寸或8寸。
3.根据权利要求1所述的高压功率器件用极厚外延片，其特征在于，所述外延层厚度为100μm-199μm。
4.根据权利要求1所述的高压功率器件用极厚外延片，其特征在于，所述外延层的厚度非均匀性小于等于5%。
5.根据权利要求1所述的高压功率器件用极厚外延片，其特征在于，所述外延层的电阻非均匀性小于等于5%。
6.根据权利要求1所述的高压功率器件用极厚外延片，其特征在于，所述衬底为N型衬底；，所述N型衬底掺杂砷、磷及锑中的至少一种元素。
7.根据权利要求1所述的高压功率器件用极厚外延片，其特征在于，所述衬底为P型衬底；所述P型衬底掺杂有硼元素。
8.权利要求1-7任一权利要求所述的高压功率器件用极厚外延片的制造方法，其特征在于，包括步骤：分两步将衬底自室温升高至长晶温度，然后在衬底表面生长外延层；
第一步，以80℃-120℃/min的速度自室温升至950℃-1000℃；
第二步，以10℃-20℃/min的速度升温至长晶温度。
9.根据权利要求8所述的高压功率器件用极厚外延片的制造方法，其特征在于，所述长晶温度为1040℃～1100℃。
10.根据权利要求8所述的高压功率器件用极厚外延片的制造方法，其特征在于，以衬底圆心为中心，150mm范围内的温度差小于等于5℃。
11.根据权利要求8所述的高压功率器件用极厚外延片的制造方法，其特征在于，第一步，以100℃-110℃/min的速度自室温升至960℃-990℃。
12.根据权利要求8所述的高压功率器件用极厚外延片的制造方法，其特征在于，第二步，以14℃-18℃/min的速度升温至长晶温度。
13.根据权利要求8所述的高压功率器件用极厚外延片的制造方法，其特征在于，所述的衬底放置于石墨坑内长晶，所述放置6寸衬底的石墨坑直径为152mm；所述放置8寸衬底的石墨坑直径为202mm。
14.根据权利要求8所述的高压功率器件用极厚外延片的制造方法，其特征在于，所述衬底为自边缘起3mm内无大于0.3μm缺陷的衬底。
15.根据权利要求8所述的高压功率器件用极厚外延片的制造方法，其特征在于，使用LPE3061系列机型外延长晶炉完成外延长晶。
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