[发明专利]倒装芯片焊点润湿性的判定方法及其芯片的焊接方法有效
申请号: | 201310237194.2 | 申请日: | 2013-06-14 |
公开(公告)号: | CN104241154B | 公开(公告)日: | 2017-02-22 |
发明(设计)人: | 魏元华;王伦波;刘晓明 | 申请(专利权)人: | 无锡华润安盛科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66;H01L21/60;B23K1/00;B29C65/48;B29C65/82 |
代理公司: | 无锡互维知识产权代理有限公司32236 | 代理人: | 王爱伟 |
地址: | 214028 江苏省无锡*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 倒装 芯片 润湿 判定 方法 及其 焊接 | ||
技术领域
本发明涉及倒装芯片封装技术领域,尤其涉及一种倒装芯片焊点润湿性的判定方法及其芯片的焊接方法。
背景技术
以往的一级封装技术都是将芯片的有源区面朝上,背对基板和贴后键合,如引线健合和载带自动健全(TAB)。FC则将芯片有源区面对基板,通过芯片上呈阵列排列的焊料凸点实现芯片与衬底的互连。硅片直接以倒扣方式安装到PCB,从硅片向四周引出I/O,互联的长度大大缩短,减小了RC延迟,有效地提高了电性能。显然,这种芯片互连方式能提供更高的I/O密度。倒装占有面积几乎与芯片大小一致。在所有表面安装技术中,倒装芯片可以达到最小、最薄的封装。具有优良的电性能和热特性,可大大减小尺寸和重量。倒装芯片焊接的一般工艺流程是:制作芯片上凸点——拾取芯片——印刷焊膏或导电胶——贴放芯片——回流焊或热固化(或紫外固化)——底部填充灌胶。
贴装后的芯片与基板之间的粘合强度,是决定芯片性能的主要因素之一,而芯片的焊接可靠性可通过观察基板表面焊点的润湿度来判定,目前采用的工艺方法是芯片剪切实验(die shear),通过测量die shear之后残留在基板表面焊点的润湿直径与铜柱直径的数值比较,若润湿直径>铜柱直径,则说明产品润湿性良好,焊接可靠性良好;反之,则表明焊接可靠性较差,可能直接影响到产品的性能。
然而,当需要对一些面积过大的芯片或是超薄型芯片进行焊点润湿度检测时,使用die shear的工艺方法便无法实现,对于面积过大的芯片来说,主要是由于芯片面积超出设备识别区,无法完成整片芯片的检测;对于超薄型芯片来说,由于芯片的易碎裂性,使得不能完成检测。因此,基于上述原因,目前只能通过检测产品焊接可靠性试验来完成,不能直接观测判定,使得工艺复杂化,试验时间周期长,影响生产效率,且成本高。
发明内容
本发明目的是提供一种倒装芯片焊点润湿性的判定方法及其芯片的焊接方法,采用该方法,以直观的方式判定焊接可靠性,检测更为方便,有助于提高生产效率,降低生产成本。
为达到上述目的,本发明采用的判定技术方案是:一种倒装芯片焊点润湿性的判定方法,其测试步骤为:
下压倒装芯片与助焊剂通道底部软接触,使倒装芯片上的球形凸点顶端变平;
测量球形凸点顶端扁平部直径,获得压平直径d1;
将压平直径d1与凸点直径d比较,若满足0>d1且d1<=d/2,表示该芯片的焊点润湿性符合要求;反之,表示该芯片的焊点润湿性不符合要求。
在其中一实施例中,当压平直径d1=0,则表示该芯片的焊点润湿性不足;当压平直径d1大于凸点直径d/2时,则表示球形凸点下压力过大,芯片内部出现应力损坏。
在其中一实施例中,所述球形凸点直径d为120微米~150微米,当测量所述压平直径d1为10微米~60微米时,表示该芯片的焊点润湿性符合要求。
在其中一实施例中,所述测量球形凸点顶端扁平部直径系通过测量显微镜测量,所述测量显微镜的放大倍数为50~100倍。
为达到上述目的,本发明采用的焊接技术方案是:一种倒装芯片润湿性的判定方法,其步骤为:
制作芯片的球形凸点;
拾取倒装芯片;
蘸助焊剂;
判断焊点的润湿度,挑选出合格产品进入下一工序,不合格产品则被拣出;
贴放芯片;
合格产品回流焊或热固化;
底部充填灌胶;
待胶固化。
在其中一实施例中,所述所述判断焊点的润湿度的具体方法为:将倒装芯片下压,与助焊剂通道底部软接触,使倒装芯片上的球形凸点顶端变平,测量变平的扁平部直径,获得压平直径d1;将压平直径d1与球形凸点直径d比较,若满足0>d1且d1<=d/2,表示该芯片的焊点润湿性符合要求,为合格产品;反之,表示该芯片的焊点润湿性不符合要求。
在其中一实施例中,当压平直径d1=0,则表示该芯片的焊点润湿性不足;当压平直径d1大于凸点直径d/2时,则表示球形凸点下压力过大,芯片内部出现应力损坏。
在其中一实施例中,所述球形凸点直径d为120微米~150微米,所述合格产品的压平直径d1为10微米~60微米。
在其中一实施例中,所述测量球形凸点顶端扁平部直径系通过测量显微镜测量,所述测量显微镜的放大倍数为50~100倍。
由于上述技术方案运用,本发明与现有技术相比具有下列优点:
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造