[发明专利]等离子体处理装置、生成装置及生成方法、天线结构体有效
申请号: | 201310233964.6 | 申请日: | 2013-06-13 |
公开(公告)号: | CN103491700B | 公开(公告)日: | 2017-03-01 |
发明(设计)人: | 山泽阳平;傅宝一树;木村隆文;舆水地盐;佐佐木和男;内藤启;古屋敦城 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H05H1/46 | 分类号: | H05H1/46 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙)11277 | 代理人: | 刘新宇 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 等离子体 处理 装置 生成 方法 天线 结构 | ||
1.一种等离子体处理装置,具备:处理室,其收容基板;载置台,其被配置在上述处理室的内部并载置上述基板;以及感应耦合天线,其在上述处理室的外部被配置成与上述载置台对置,并与高频电源相连接,该等离子体处理装置的特征在于,
还具备窗构件,该窗构件构成与上述感应耦合天线对置的上述处理室的壁部,存在于上述载置台与上述感应耦合天线之间,由导电体构成,
上述窗构件被分割成多个分割片,
上述多个分割片彼此不直接接触使得彼此不会电导通,
上述多个分割片中的至少部分分割片通过导线相连接而形成闭合回路,
上述闭合回路的连接各上述分割片的上述导线中的至少一个导线具有电容器。
2.根据权利要求1所述的等离子体处理装置,其特征在于,
上述电容器的静电容量被调整成使上述闭合回路的电抗成为负值。
3.根据权利要求1或2所述的等离子体处理装置,其特征在于,
关于上述感应耦合天线的中心对称地配置上述导线。
4.根据权利要求1~3中的任一项所述的等离子体处理装置,其特征在于,
上述导线各自具有上述电容器。
5.根据权利要求1~4中的任一项所述的等离子体处理装置,其特征在于,
与上述感应耦合天线偏离地配置上述导线。
6.根据权利要求1~5中的任一项所述的等离子体处理装置,其特征在于,
上述电容器为容量可变电容器,根据上述处理室内的等离子体的密度和密度分布中的至少一个来调整上述电容器的静电容量。
7.根据权利要求1~6中的任一项所述的等离子体处理装置,其特征在于,
根据上述处理室内的等离子体的分布来调整上述导线的位置。
8.根据权利要求1~7中的任一项所述的等离子体处理装置,其特征在于,
在上述窗构件中形成多个上述闭合回路。
9.一种等离子体生成装置,在减压室内生成等离子体,其特征在于,
具备:感应耦合天线,其被配置在上述减压室的外部,与高频电源相连接;以及窗构件,其存在于上述感应耦合天线与上述减压室内的等离子体之间,由导电体构成,
其中,上述窗构件被分割成多个分割片,
上述多个分割片彼此不直接接触使得彼此不会电导通,
上述多个分割片中的至少部分分割片通过导线相连接而形成闭合回路,
上述闭合回路的连接各上述分割片的上述导线中的至少一个导线具有电容器。
10.根据权利要求9所述的等离子体生成装置,其特征在于,
上述电容器的静电容量被调整成使上述闭合回路的电抗成为负值。
11.根据权利要求9或10所述的等离子体生成装置,其特征在于,
关于上述感应耦合天线的中心对称地配置上述导线。
12.一种天线结构体,具备与高频电源相连接的感应耦合天线,其特征在于,
具备窗构件,该窗构件存在于上述感应耦合天线与由上述感应耦合天线生成的等离子体之间,由导电体构成,
上述窗构件被分割成多个分割片,
上述多个分割片彼此不直接接触使得彼此不会电导通,
上述多个分割片中的至少部分分割片通过导线相连接而形成闭合回路,
上述闭合回路的连接各上述分割片的上述导线中的至少一个导线具有电容器。
13.根据权利要求12所述的天线结构体,其特征在于,
上述电容器的静电容量被调整成使上述闭合回路的电抗成为负值。
14.根据权利要求12或13所述的天线结构体,其特征在于,
关于上述感应耦合天线的中心对称地配置上述导线。
15.一种等离子体生成方法,使用天线结构体生成等离子体,该天线结构体具备:感应耦合天线,其与高频电源相连接;以及窗构件,其存在于上述感应耦合天线与等离子体之间,由导电体构成,其中,上述窗构件被分割成多个分割片,上述多个分割片彼此绝缘,该方法的特征在于,
使用导线将上述多个分割片中的至少部分分割片相连接来形成闭合回路,上述导线中的至少一个导线具有电容器,
调整上述电容器的静电容量,使得上述闭合回路的电抗成为负值。
16.根据权利要求15所述的等离子体生成方法,其特征在于,
上述电容器为容量可变电容器,根据处理室内的等离子体的密度和密度分布中的至少一个来调整上述电容器的静电容量。
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