[发明专利]处理晶片的方法、晶片及制造半导体器件的方法

说明书

技术领域

本公开的各方面总体上涉及晶片切割。特别地，本公开的一个方面涉及金属化方案作为等离子体切割的蚀刻掩膜的方法。

背景技术

晶片切割是在晶片的处理之后将裸片（die）从半导体材料的晶片分离出来的过程。切割过程可以通过划刻和断开晶片来完成。这可以通过锯切或激光切割来实现。

传统的机械锯切过程需要很宽的锯切道，这导致有源器件具有较小的硅区域。另外，该机械锯切面临着由于碎片问题所引起的损坏，所述碎片问题是由于晶片厚度减小和背面金属化率增加造成的。质量和可靠性问题也是不足之处。

激光切割需要较宽的切面（kerf）并造成脊状部，这导致在后端处理中发生断裂。隐形切割将晶体结构改变成非晶硅，导致在切面中形成未知的结构。并且，在等离子体切割中，对于大批的等离子体切割的裸片和没有背部金属化的等离子体切割裸片而言都不存在集成。

在等离子体切割过程中，可能会进行蚀刻。在蚀刻步骤中，晶片的一部分由抗蚀刻的“掩膜”材料保护而不受蚀刻剂的腐蚀。在一些情况下，该掩膜材料是已经用光刻的方法进行图案化的光致抗蚀剂。其他情况需要诸如氮化硅的更耐用的掩膜。

因此，提供用于解决上述讨论的一个或多个问题的方法、系统、和计算机程序产品将是有利的。

发明内容

本公开的一方面包括一种用于处理晶片的方法。该方法包括：提供具有多个裸片区域和多个切面区域的晶片；在多个裸片区域中形成金属化区域；向晶片施加气体合成物，该气体合成物蚀刻掉所述多个切面区域。

本公开的一方面包括晶片。该晶片包括多个裸片区域；位于多个裸片区域之间的多个切面区域；以及位于多个裸片区域上的金属化区域。

本公开的一方面提供一种制作半导体器件的方法。该方法包括：提供具有多个裸片区域和多个切面区域的半导体裸片；在多个裸片区域中形成金属化区域；以及向晶片施加气体合成物，该气体合成物蚀刻掉所述多个切面区域。

附图说明

在附图中，相同的附图标记一般在不同附图中指代相同部分。附图不必是成比例的。在下面的描述中，参考附图对本公开的各个方面进行描述，附图中，

图1示出了根据本公开的一个方面的晶片的示意性平面图；

图2示出了根据本公开一个方面的附接至承载物的晶片的框图；

图3示出了根据本公开一个方面的附接至具有光致抗蚀剂的承载物的晶片的侧视图；

图4示出了根据本公开一个方面的在对晶片进行蚀刻之后附接至承载物的晶片的侧视图；

图5示出了根据本公开一个方面的附接至层压物（laminate）的晶片的侧视图；

图6示出了根据本公开一个方面的处理晶片的流程图；以及

图7示出了根据本公开一个方面的切割过程的流程图。

具体实施方式

下面具体的描述参考附图，附图以示例的方式示出了实施本发明的具体细节和方面。这里的词语“示例”用于表示“作为例子、实例，或者例证”。这里所描述的作为“示例”的任何方面或设计都不应解释为优选的或者比其他的方面或设计有利。

在本说明书中要注意的是，所涉及的包含在“一个方面”、“示例方面”、“一方面”、“另一方面”、“某个方面”、“多个方面”、“其他方面”、“替换的方面”等等中的各种特征（例如，元件、结构、模块、部件、步骤、操作、特性等）意在表示任何这样的特征包含在本公开的一个或多个方面中，但是可以或者可以不必结合在相同的方面中。

在本说明书中要注意的是，所涉及的“许多”可意味着一个或多个。例如，许多物体可以是一个物体、十个物体、五十个物体、或者任何数量的物体。而且，在本说明书中要注意的是，所涉及的“至少一个”可意味着任何组合。例如，物体A和物体B中的至少一个可以是物体A、物体B、或者物体A和B。

尽管这里参考特定的方面对该说明书进行说明和描述，但是，本说明书并不意于限于所示出的这些细节。在权利要求的范围和等同范围内可对这些细节进行修改。

晶片一般可以用在集成电路（ICs）或者芯片的制造中。晶片可包括多个裸片区域或者一体形成的裸片。所述裸片区域或者裸片可通过诸如锯的分割（singulation）过程分开。裸片的分割也可以称为切割。

通常，将沿着位于裸片之间的所谓的切割道（有时也称作锯切道或者划片线）来执行切割，并且这种切割可以导致晶片材料被切除以及位于那些切割道内的任何结构被破坏。将受切割影响（例如破坏）的晶片区域也被称作晶片的切面区域。