[发明专利]处理晶片的方法、晶片及制造半导体器件的方法

权利要求书

1.一种处理晶片的方法，所述方法包括：

提供具有多个裸片区域和多个切面区域的晶片；

在所述多个裸片区域中形成金属化区域；以及

向所述晶片施加气体合成物，所述气体合成物蚀刻掉所述多个切面区域。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述气体合成物与所述金属化区域反应以形成钝化层。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述金属化区域是用于裸片分离的自对准掩膜。

4.根据权利要求2所述的方法，其中，所述气体合成物不会蚀刻掉所述钝化层。

5.根据权利要求1所述的方法，其中，所述金属化层是铜。

6.根据权利要求1所述的方法，其中，所述气体合成物包括氟。

7.根据权利要求1所述的方法，其中，施加所述气体合成物包括：执行BOSCH蚀刻过程。

8.根据权利要求1所述的方法，其中，施加所述气体合成物包括：执行电化学蚀刻。

9.根据权利要求1所述的方法，进一步包括：

在形成所述金属化区域之前在所述晶片上形成互连装置。

10.根据权利要求9所述的方法，进一步包括:

将种子层形成至在所述互连装置上。

11.根据权利要求1所述的方法，进一步包括：

确定所述晶片已经分离成独立的裸片；

层压所述晶片；以及

从所述独立的裸片移除所述承载物。

12.一种晶片，包括：

多个裸片区域；

位于所述多个裸片区域之间的多个切面区域；以及

位于所述多个裸片区域上的金属化区域。

13.根据权利要求12所述的晶片，其中，所述金属化区域配置为与气体合成物反应以形成钝化层。

14.根据权利要求12所述的晶片，其中，所述金属化区域是用于裸片分离的自对准掩膜。

15.根据权利要求13所述的晶片，其中，当暴露于所述气体合成物时，所述钝化层不会被蚀刻掉。

16.根据权利要求12所述的晶片，其中，所述金属化层是铜。

17.根据权利要求12所述的晶片，其中，所示气体合成物包括氟。

18.一种制造半导体器件的方法，包括：

提供具有多个裸片区域和多个切面区域的半导体裸片；

在所述多个裸片区域中形成金属化区域；以及

向所述晶片施加气体合成物，所述气体合成物蚀刻掉所述多个切面区域。

19.根据权利要求18所述的方法，其中，所述气体合成物与所述金属化区域反应以形成钝化层。

20.根据权利要求18所述的方法，其中，所述金属化区域是用于裸片分离的自对准掩膜。