[发明专利]蒸镀装置及蒸镀方法

说明书

技术领域

本公开涉及一种蒸镀装置及蒸镀方法。

背景技术

蒸镀是在真空条件下，将蒸发源中的蒸镀材料加热并蒸发，使大量的原子、分子气化，离开蒸发源并附着在基板上形成膜层。图1所示为现有的一种具有固定蒸发源的蒸镀装置的示意图。如图1所示的蒸镀装置包括主腔室1’，以及设置在主腔室1’中的固定蒸发源2’、基板3’和金属遮罩4’。固定蒸发源2’设置在主腔室1’底部，基板3’设置在固定蒸发源2’的上方并正对固定蒸发源3’，金属遮罩4’设置在固定蒸发源2’和基板3’之间，在蒸镀过程中作为基板3’的遮蔽。金属遮罩4’的可用作为遮蔽基板3’上不需要蒸镀有机材料或金属材料的在玻璃表面的遮掩物。固定蒸发源2’中具有蒸镀材料，蒸镀材料在蒸镀过程中被加热到蒸发温度并气化，并透过金属遮罩4’沉积在基板3’上。基板3’能够绕着旋转轴31’旋转，以在蒸镀后获得厚度均匀的膜。

现行的蒸镀装置最大的缺点在于材料使用率低，大部分材料都附着在主腔室1’的腔壁和金属遮罩上4’上，真正蒸镀到基板3’上的蒸镀材料大约只有1.5%。为了避免浪费，每次蒸镀之后都需要打破蒸镀装置的真空，取出其中的金属遮罩4’，将其上附着的蒸镀材料进行人工刮除并回收。但是，频繁打破真空容易将杂质引入蒸镀装置中，同时人工刮除的方式不仅耗费时间与人力，而且影响设备的稼动率。

发明内容

本公开的目的是提出一种新型蒸镀装置及蒸镀方法，以解决上述问题和/或其他问题。

为实现上述目的，本公开提出一种蒸镀装置，用于将容置在蒸发源中的蒸镀材料蒸镀到基板上，所述蒸镀装置包括：

主腔室，用于容置所述蒸发源和所述基板；及

第一扩展腔室和第二扩展腔室，能够与所述主腔室分别相互连通和相互隔离；

第一金属遮罩，设置在所述第一扩展腔室中；以及

第二金属遮罩，设置在所述第二扩展腔室中；

其中，在蒸镀中所述第一金属遮罩或所述第二金属遮罩交替伸入所述主腔室中并位于所述基板和所述蒸发源之间以遮罩所述基板。

本公开还提出一种蒸镀方法，用于在蒸镀装置内，将容置在蒸发源中的蒸镀材料蒸镀到基板上，所述蒸镀装置包括主腔室及能够与所述主腔室相互连通和隔离的第一扩展腔室和第二扩展腔室，该蒸镀方法包括步骤：

步骤1：使第一金属遮罩从所述第一扩展腔室移入所述主腔室，以在第一蒸镀过程中作为所述基板的金属遮罩使用；

步骤2：在第一蒸镀过程完成之后，使所述第一金属遮罩从所述主腔室返回到所述第一扩展腔室，并使所述主腔室和所述第一扩展腔室相互隔离；

步骤3：使第二金属遮罩从所述第二扩展腔室移入所述主腔室，以在第二蒸镀过程中作为所述基板的金属遮罩使用；及

步骤4：在第二蒸镀过程完成之后，使所述第二金属遮罩从所述主腔室返回到所述第二扩展腔室，并使所述主腔室和所述第二扩展腔室相互隔离。

相比于现有技术，由于本公开的第一金属遮罩和第二金属遮罩在蒸镀作业时能够交替使用，因此能够提高作业效率。再者，在优选实施例中，由于第一扩展腔室和第二扩展腔室内具有第一清理机构和第二清理机构，因此第一金属遮罩和第二金属遮罩能够交替进行蒸镀材料的清理，极大地提高了装置的稼动率。

附图说明

图1所示为现有的一种具有固定蒸发源的蒸镀装置的示意图。

图2所示为本公开一实施例的蒸镀装置的示意图。

具体实施方式

图2所示为本公开一实施例的蒸镀装置的示意图。

如图2所示，本公开一实施例的蒸镀装置包括主腔室1、第一扩展腔室2和第二扩展腔室3。

主腔室1中可设置固定蒸发源11和基板S。固定蒸发源11可设置在主腔室1底部，基板S可设置在固定蒸发源11的上方并正对固定蒸发源11。固定蒸发源11中可容置蒸镀材料，蒸镀材料在蒸镀过程中被加热到蒸发温度并气化，并沉积在基板S上。基板S在蒸镀过程中能够绕着设置在主腔室1中并位于主腔室1上部的旋转轴13旋转，以在蒸镀后获得厚度均匀的膜。

在本实施例中，第一扩展腔室2和第二扩展腔室3分别设置在主腔室1的两侧，主腔室1对应第一扩展腔室2和第二扩展腔室3的两侧分别具有第一开口14和第二开口15，第一扩展腔室2在对应第一开口14的位置具有第一扩展腔室开口23，第二扩展腔室3在对应第二开口15的位置具有第二扩展腔室开口33。