[发明专利]具有位于空气承载表面远端的偏置结构的磁性元件有效

专利信息
申请号: 201310220131.6 申请日: 2013-06-04
公开(公告)号: CN103514890B 公开(公告)日: 2017-08-15
发明(设计)人: M·W·科温顿;D·V·季米特洛夫;宋电 申请(专利权)人: 希捷科技有限公司
主分类号: G11B5/187 分类号: G11B5/187;G11B5/147
代理公司: 上海专利商标事务所有限公司31100 代理人: 钱慰民
地址: 美国加利*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 具有 位于 空气 承载 表面 远端 偏置 结构 磁性 元件
【权利要求书】:

1.一种包括磁性叠层的装置,所述磁性叠层具有位于空气承载表面ABS上并通过偏置结构偏置至预定磁化的磁性自由层,所述偏置结构与所述磁性自由层耦合并位于所述空气承载表面ABS的远端,所述偏置结构被设置在磁屏蔽的具有平行于所述空气承载表面ABS测得的均匀厚度的部分上、相对于所述空气承载表面ABS凹进、并具有平行于所述空气承载表面ABS测得的不同的第一厚度和第二厚度。

2.如权利要求1所述的装置,其特征在于,所述偏置结构包括交替的磁性层和非磁性层的层压。

3.如权利要求2所述的装置,其特征在于,每个磁性层是铁磁材料并且一个磁性层与所述自由层接触。

4.如权利要求2所述的装置,其特征在于,绝缘层将所述磁性和非磁性层与磁屏蔽的过渡表面隔开。

5.如权利要求1所述的装置,其特征在于,所述偏置结构位于磁性屏蔽在所述磁性叠层附近的过渡区内,所述过渡区界定在空气承载表面ABS远端的厚度的减小。

6.如权利要求1所述的装置,其特征在于,所述偏置结构包括构造以预定粗糙度的籽晶层和与所述自由层接触的铁磁层的层压。

7.如权利要求6所述的装置,其特征在于,所述预定粗糙度是通过倾斜溅射沉积来形成的。

8.如权利要求6所述的装置,其特征在于,所述预定粗糙度为所述铁磁层提供增加的平面内各向异性。

9.如权利要求1所述的装置,其特征在于,所述偏置结构包括具有固定磁化方向的钉扎层和与所述自由层接触的铁磁层的层压。

10.如权利要求9所述的装置,其特征在于,所述钉扎层是反铁磁材料。

11.如权利要求9所述的装置,其特征在于,所述钉扎层是永磁体。

12.如权利要求1所述的装置,其特征在于,所述偏置结构是具有不同条纹高度的层的层压。

13.如权利要求1所述的装置,其特征在于,所述偏置结构与所述自由层接触的一部分具有偏置的平面内各向异性,所述偏置的平面内各项异性与所述自由层的叠层平面内各向异性互补以产生预定的磁矩。

14.一种包含磁性叠层的磁性元件,所述磁性叠层具有第一和第二磁性自由层,每个所述磁性自由层位于空气承载表面ABS上并通过相应的第一和第二偏置结构被偏置至预定的磁化,每个偏置结构分别与所述第一和第二磁性自由层耦合并位于所述空气承载表面ABS的远端,每个偏置结构被设置在磁屏蔽的具有平行于所述空气承载表面ABS测得的均匀厚度的部分上、相对于所述空气承载表面ABS凹进、并具有平行于所述空气承载表面ABS测得的不同的第一厚度和第二厚度。

15.如权利要求14所述的磁性元件,其特征在于,所述第一和第二偏置结构各自位于空气承载表面ABS上的磁性叠层的相对两侧上的顶部磁屏蔽和底部磁屏蔽的过渡区,所述过渡区各自界定在所述空气承载表面ABS远端的磁屏蔽厚度的减小。

16.如权利要求14所述的磁性元件,其特征在于,所述第一和第二偏置结构被配置为具有不同层材料的层压。

17.如权利要求14所述的磁性元件,其特征在于,所述第一和第二偏置结构被配置为具有共同层材料的层压。

18.一种包括磁性叠层的传感器,所述磁性叠层具有磁性自由层,所述磁性自由层位于空气承载表面ABS上并通过偏置结构和后偏置磁体同时被偏置至预定的磁化,所述偏置结构和后偏置磁体各自从空气承载表面ABS凹进,所述偏置结构被设置在磁屏蔽的具有平行于所述空气承载表面ABS测得的均匀厚度的部分上、在所述空气承载表面ABS远端耦合至所述磁性自由层、并具有平行于所述空气承载表面ABS测得的不同的第一厚度和第二厚度,所述后偏置磁体在所述空气承载表面ABS远端与所述磁性叠层隔开。

19.如权利要求18所述的传感器,其特征在于,所述偏置结构具有在空气承载表面ABS远端减小的变化厚度。

20.如权利要求18所述的传感器,其特征在于,所述后偏置磁体具有大于所述磁性叠层的叠层厚度的偏置厚度。

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