[发明专利]阻变存储器中金属氧化物层的形成方法有效
| 申请号： | 201310217879.0 | 申请日： | 2013-06-03 |
| 公开（公告）号： | CN103325941A | 公开（公告）日： | 2013-09-25 |
| 发明（设计）人： | 吴华强;白越;吴明昊;钱鹤 | 申请（专利权）人： | 清华大学 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人： | 张大威 |
| 地址： | 100084 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 存储器 金属 氧化物 形成 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种阻变存储器中金属氧化物层的形成方法，其特征在于，包括：
S1.进行快速加热氧化，在金属材料上形成氧化层；和
S2.进行等离子体增强氧化，将所述氧化层变为增强氧化层。
2.如权利要求1所述的阻变存储器中金属氧化物层的形成方法，其特征在于，所述金属材料包括：钨、钛、铝、钽等等的一种或多种的组合。
3.如权利要求1和2所述的阻变存储器中金属氧化物层的形成方法，其特征在于，所述快速加热氧化的温度为400-500℃，时间为50-200s。
4.如权利要求1-3任一项所述的阻变存储器中金属氧化物层的形成方法，其特征在于，所述氧化层的厚度为30-100nm。
5.如权利要求1-4所述的阻变存储器中金属氧化物层的形成方法，其特征在于，所述等离子体增强氧化的温度为300-500℃，时间为500-700s。
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