[发明专利]阵列基板及其制造方法、显示装置

权利要求书

1.一种阵列基板，包括：基板和自下而上依次设置于所述基板上的半导体层、源漏电极层、栅绝缘层，其特征在于，所述阵列基板还包括：

设置在所述栅绝缘层上的第一栅金属层；

设置在所述半导体层的下方的第二栅绝缘层；以及，

设置在所述第二栅绝缘层与所述基板之间的第二栅金属层。

2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，还包括：

第一公共电极线，与所述第一栅金属层位于同一层，或者与所述第二栅金属层位于同一层。

3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，还包括：第二公共电极线，

当所述第一公共电极线与所述第一栅金属层位于同一层时，所述第二公共电极线与所述第二栅金属层位于同一层；当所述第一公共电极线与所述第二栅金属层位于同一层时，所述第二公共电极线与所述第一栅金属层位于同一层。

4.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，

所述第二公共电极线与所述第一公共电极线并联，且第二公共电极线与第一公共电极线的线宽相同。

5.根据权利要求1-4任一项所述的阵列基板，其特征在于，还包括：

树脂层，覆盖在所述第一栅金属层上；以及，

用于产生电场以驱动液晶的第一电极、第二电极，以及设置在所述的第一电极、第二电极之间的钝化层，所述第一电极设置在所述树脂层之上，所述第二电极设置在所述钝化层之上。

6.根据权利要求5所述的阵列基板，其特征在于，

所述第一电极通过所述树脂层中的过孔与所述第一公共电极线相连接。

7.根据权利要求5所述的阵列基板，其特征在于，

所述第二电极通过所述树脂层及所述栅绝缘层中的漏极过孔与所述源漏电极层的漏极相连。

8.根据权利要求7所述的阵列基板，其特征在于，

所述第二电极为狭缝状。

9.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求1-8任一项所述的阵列基板。

10.一种阵列基板的制造方法，其特征在于，包括：

在基板上形成第二栅金属层；

在形成有第二栅金属层的基板上形成第二栅绝缘层；

在形成有第二栅金属层和第二栅绝缘层的基板上，自下而上依次形成半导体层、源漏电极层、栅绝缘层和第一栅金属层；

在形成有第二栅金属层、第二栅绝缘层、半导体层、源漏电极层、栅绝缘层和第一栅金属层的基板上，形成树脂层及树脂层的过孔图形；

在完成上述步骤的基板上形成第一透明导电膜层，采用构图工艺形成第一电极；

形成钝化层及钝化层的过孔图形；

形成第二透明导电膜层，采用构图工艺形成第二电极。

11.根据权利要求10所述的方法，其特征在于，所述在形成有第二栅金属层和第二栅绝缘层的基板上，自下而上依次形成半导体层、源漏电极层、栅绝缘层和第一栅金属层，具体包括：

在所述第二栅绝缘层上形成半导体层，并采用构图工艺形成所述薄膜晶体管的半导体层图案；

形成源漏电极层，采用构图工艺分别在所述半导体层上形成所述薄膜晶体管的源极和漏极以及数据线；

形成栅绝缘层；

形成第一栅金属层，采用构图工艺形成所述薄膜晶体管的栅极、栅线，以及第一公共电极线。

12.根据权利要求10所述的方法，其特征在于，阵列基板还包括与同层设置的第二公共电极线时，所述在基板上形成第二栅金属层具体包括：

形成金属薄膜，并通过构图工艺形成第二栅金属层和第二公共电极线。