[发明专利]TFT-LCD阵列基板及其制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种薄膜晶体管液晶显示器结构及其制造方法，尤其是一种TFT-LCD阵列基板及其制造方法。

背景技术

随着薄膜晶体管液晶显示器（Thin Film Transistor Liquid Crystal Display，简称TFT-LCD）行业的发展及消费者日益增长的需求，液晶显示器之窄边框设计已成为流行趋势，这样外形靓丽、锐感十足的造型，深得受众喜爱。同时，窄边框的设计对TFT-LCD阵列基板利用率有很大的提高效益。但影响决定窄边框的主要因素在液晶显示器的TFT-LCD阵列基板的非显示区的配线区，如图1所示为现有技术的液晶显示器TFT-LCD阵列基板示意图，该基板100表面具有一像素区P（即显示区）和一配线区L以及端子区T，其中，该配线区和端子区位于该像素区外侧。TFT阵列和像素区端子形成在该基板的像素区。配线区L包括多个配线L1～Ln连接在像素区P的多个像素端子P1～Pn和端子区域T的多个信号端子T1～Tn之间，如图2为图1中A部的局部放大图。

现有技术的配线区L一般都使用同一层金属进行配线，为了缩小配线区域达到窄边框的目标，就要将配线区域的线宽线距缩小。但缩小线宽线距等制程参数虽能达到窄边框的目的，但是将会导致配线断路或配线间短路等不良，影响到产品良率。缩小配线区的另一种方案是利用两层金属进行配线，但会有信号干扰影响显示品质的问题。

发明内容

发明目的：解决现有技术中单层金属配线不能缩小配线区无法达到液晶面板窄边设计的问题，以及两层配线层之间信号干扰影响显示品质的问题。

技术方案：为了达到上述目的，本发明给出一种TFT-LCD阵列基板，该基板具有一像素区，该像素区由多条扫描线和多条数据信号线交叉限定；一配线区以及一端子区，其中该配线区和端子区位于该像素区外侧；一TFT阵列，形成在该基板上并配置在该像素区；所述的配线区包括由第一配线层形成的多个第一配线，以及由第二配线层形成的多个第二配线，多个第一配线和多个第二配线将所述的像素区的多个像素端子和所述的端子区域的多个信号端子相电性连接。

进一步，在所述的第一配线层和第二配线层之间设置透明电极层；

进一步，所述的透明电极层为具有导体特性的IGZO层；

进一步，所述的第一配线层的多个第一配线与所述的TFT阵列的栅极为同一层并由同种金属形成；

进一步，所述的第二配线层的多个第二配线与所述的像素区的数据信号线为同一层并由同种金属形成。

本发明还给出了一种TFT-LCD阵列基板的制造方法，该基板具有一像素区、一配线区以及一端子区，其中该配线区和端子区位于该像素区外侧，包括如下步骤：

步骤1、在玻璃基板上沉积金属层，在像素区由此金属层形成栅极、扫描线，栅极与扫描线相连接；在配线区由此金属层形成第一配线层的多条第一配线：

步骤2、在经过所述步骤1处理的所述基板上沉积绝缘层，并覆盖整个基板；

步骤3、在经过所述步骤2处理的所述基板上形成金属氧化物层；

步骤4、在经所述步骤3处理的所述基板上形成保护层，该保护层位于栅极正上方的金属氧化层上；

步骤5、对经过所述步骤4处理的所述基板进行离子注入或退火制程，使位于配线区的金属氧化层具有透明导体特性以及位于栅极上方并于保护层下方的金属氧化物层的以外的金属氧化物层具有透明导体特性；

步骤6、在经所述步骤5处理的所述基板上沉积保护层并制作接触孔和第一配线的接触孔，同时去除像素区的具有透明导体特性的金属氧化物层的上方的保护层；

步骤7、在经所述步骤6处理的所述基板上沉积金属层，在像素区由此金属层形成数据信号线以及多个像素端子，数据信号线与像素端子相连接；在配线区由此金属层形成第二配线层的多条第二配线；同时在端子区由此金属层形成多个信号端子；通过第一配线和第二配线将像素区的所有像素端子和端子区域的所有信号端子相电性连接，使信号有效的传递至像素区。

进一步，所述金属氧化物层为IGZO层。

有益效果：本发明的方案利用像素区的TFT阵列基板的栅极金属层与数据信号线金属层分别作为配线层，解决了单层金属配线容易遭遇到的线宽线距问题，同时在两层配线层之间配置IGZO的透明电极隔绝信号干扰，解决了两层配线层之间信号干扰影响显示品质的问题。

附图说明

图1为现有技术的液晶显示器TFT-LCD阵列基板示意图；

图2为图1中A的放大图；