[发明专利]一种OLED像素限定结构及其制作方法有效
申请号: | 201310205843.0 | 申请日: | 2013-05-29 |
公开(公告)号: | CN103311269B | 公开(公告)日: | 2017-06-09 |
发明(设计)人: | 王辉锋;刘则 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/56 |
代理公司: | 北京同达信恒知识产权代理有限公司11291 | 代理人: | 张恺宁 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 oled 像素 限定 结构 及其 制作方法 | ||
技术领域
本发明涉及显示领域,尤其涉及一种OLED像素限定结构及其制作方法。
背景技术
有机发光二极管(Organic Light Emitting Diode,OLED)具有自发光、快速响应、宽视角和可制作在柔性衬底上等独特特点,以OLED为基础的显示器正成为显示领域的主流。
OLED显示背板包括TFT基板、ITO(Indium Tin Oxide,铟锡氧化物)像素电极、发光层和阴极等。在TFT基板上制作像素界定层,其每个像素限定区对应一个像素电极。每个像素限定区和每个像素限定区对应的像素电极越细小越密集,产品的分辨率也就越高,但是细化的像素界定区却受到打印技术的限制。以像素限定区的尺寸30μm×90μm为例,当打印机喷墨头形成的液滴直径等于30μm时,此时与像素的尺寸处于同一水平,在用喷墨打印机制备OLED器件时,需要控制液滴精确下落到像素限定区,并且落入像素限定区内的液滴在干燥后薄膜厚度均一。
现有技术中,控制液滴精确下落到像素限定区,需要高对位精度的打印设备,这需要增加设备投入,导致成本较高;并且由于像素限定区的尺寸较小,液体流动性较差,很难形成厚度均一的薄膜,影响显示背板的发光质量。
发明内容
本发明实施例提供一种OLED像素限定结构,以解决制作像素界定层时,由于像素限定区尺寸较小,需要控制液滴精确下落到像素限定区,增加了设备投入,导致成本较高,并且像素限定区难以形成厚度均一的薄膜,影响显示背板的发光质量的问题。
本发明实施例提供一种OLED像素限定结构,该像素限定结构包括像素界定层;
像素界定层包括不同颜色的亚像素限定区,其中同种颜色的至少两个亚像素限定区连通。
本发明实施例提供一种OLED像素限定结构的制作方法,该方法包括:
在像素电极上涂覆一层光刻胶,形成像素限定光刻胶薄膜;
对像素限定光刻胶薄膜进行图形化处理,形成像素界定层;其中将像素界定层中同种颜色的至少两个亚像素限定区进行连通。
本发明实施例中的OLED像素限定结构包括像素界定层;像素界定层包括不同颜色的亚像素限定区,其中同种颜色的至少两个亚像素限定区连通;由于将像素界定层中同种颜色的至少两个亚像素限定区连通,液滴落入连通的亚像素限定区内,通过液体的流动性,使连通的亚像素限定区内充满液体;且由于至少两个亚像素限定区连通,增加了液体的流动性,在亚像素限定区内更易形成厚度均匀的薄膜;从而提高了显示背板的发光质量。
附图说明
图1为本发明实施例中一种OLED像素限定结构的示意图;
图2为本发明实施例中一个亚像素限定区通过通道与同种颜色的亚像素限定区连通的示意图;
图3为本发明实施例中相互连通的两个同种颜色的亚像素限定区之间没有像素界定层的示意图;
图4为本发明实施例中亚像素限定区与对应的像素电极部分重叠的OLED像素限定结构的示意图;
图5为本发明实施例中亚像素限定区与对应的像素电极全部重叠的OLED像素限定结构的示意图;
图6为本发明实施例中亚像素限定区的亚像素发光层的示意图;
图7为本发明实施例中OLED像素限定结构的显示示意图;
图8为本发明实施例中一种OLED像素限定结构的制作方法的流程示意图;
图9为本发明实施例中基板上涂覆像素限定光刻胶薄膜的剖面示意图;
图10为本发明实施例中一种OLED像素限定结构的具体制作方法的流程示意图。
具体实施方式
本发明实施例中的OLED像素限定结构包括像素界定层;像素界定层包括不同颜色的亚像素限定区,其中同种颜色的至少两个亚像素限定区连通;由于将像素界定层中同种颜色的至少两个亚像素限定区连通,液滴落入连通的亚像素限定区内,通过液体的流动性,使连通的亚像素限定区内充满液体;且由于至少两个亚像素限定区连通,增加了液体的流动性,在亚像素限定区内更易形成厚度均匀的薄膜;从而提高了显示背板的发光质量。
下面结合说明书附图对本发明实施例作进一步详细描述。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于京东方科技集团股份有限公司,未经京东方科技集团股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201310205843.0/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的