[发明专利]RF开关及RF开关系统

权利要求书

1.一种RF开关，其特征在于，包含：

一晶体管；

一第一补偿电容，耦接于该晶体管的控制端及该晶体管的第一端之间；及

一第二补偿电容，耦接于该晶体管的控制端及该晶体管的第二端之间；

其中该第一补偿电容的容值等于该第二补偿电容的容值。

2.如权利要求1所述的RF开关，其特征在于，该晶体管之控制端为闸极，该晶体管之第一端为汲极，该晶体管之第二端为晶体管之源极，且其中该晶体管为一N型金属氧化半导体场效晶体管或一P型金属氧化半导体场效晶体管。

3.如权利要求1所述的RF开关，其特征在于，该晶体管为一双极接面晶体管，该双极接面晶体管之控制端为该双极接面晶体管之基极，该双极接面晶体管之第一端为该双极接面晶体管之集极，该双极接面晶体管之第二端为该双极接面晶体管之射极，且其中该晶体管为一PNP双极接面晶体管或一NPN双极接面晶体管。

4.如权利要求1所述的RF开关，其特征在于，其中该第一补偿电容及该第二补偿电容为MIM电容。

5.一种RF开关系统，其特征在于，包含：

复数个串接的晶体管；

一第一补偿电容，耦接于该复数个晶体管中的一晶体管的控制端及该晶体管的第一端之间；及

一第二补偿电容，耦接于该复数个晶体管中的一晶体管的控制端及该晶体管的第二端之间；

其中该第一补偿电容的容值等于该第二补偿电容的容值。

6.一种RF开关，其特征在于，包含：

一晶体管；

一第一补偿电容，耦接于该晶体管的井极及该晶体管的第一端之间；及

一第二补偿电容，耦接于该晶体管的井极及该晶体管的第二端之间；

其中该第一补偿电容的容值等于该第二补偿电容的容值。

7.如权利要求6所述的RF开关，其特征在于，该晶体管为一N型金属氧化半导体场效晶体管或一P型金属氧化半导体场效晶体管。

8.如权利要求6所述的RF开关，其特征在于，该晶体管为一PNP双极接面晶体管或一NPN双极接面晶体管。

9.如权利要求6所述的RF开关，其特征在于，该第一补偿电容及该第二补偿电容为MIM(金属-絶缘-金属)电容。

10.一种RF开关系统，其特征在于，包含：

复数个串接的晶体管；

一第一补偿电容，耦接于该复数个晶体管中的一晶体管的井极及该晶体管的第一端之间；及

一第二补偿电容，耦接于该复数个晶体管中的一晶体管的井极及该晶体管的第二端之间；

其中该第一补偿电容的容值等于该第二补偿电容的容值。

11.一种RF开关，其特征在于，包含：

一晶体管；

一第一补偿电容，耦接于该晶体管之控制端及该晶体管之第一端之间；

一第二补偿电容，耦接于该晶体管之控制端及该晶体管之第二端之间；

一第三补偿电容，耦接于该晶体管之井极及该晶体管之第一端之间；及

一第四补偿电容，耦接于该晶体管之井极及该晶体管之第二端之间；

其中该第一补偿电容之容值实质上等于该第二补偿电容之容值，该第三补偿电容之容值实质上等于该第四补偿电容之容值。