[发明专利]一种显示面板的切割方法及显示装置

说明书

技术领域

本发明涉及显示面板制造领域，尤其涉及一种显示面板的切割方法及显示装置。

背景技术

现有的薄膜场效应晶体管液晶显示器(TFT-LCD，Thin Film Transistor-Liquid Crystal Display)基板是由一块完整的显示面板按照预先的切割线，采用应力切割或热切割的方式切割为多块基板所得的。如图1所示，为传统的显示面板的切割布局，其中，采用应力切割或热切割的方式，沿切割线10切割基板1，以获得多块面板11。

然而，采用传统的应力切割或热切割的方式切割显示面板会导致显示面板的切割边产生裂缝，进而发生应变，从而导致显示装置漏光以及暗态时均一性不良等问题，降低了TFT-LCD的显示效果。

发明内容

本发明的实施例提供一种显示面板的切割方法及显示装置，能够避免现有技术由于采用应力切割或热切割的方式切割显示面板而导致的显示装置产生裂缝，漏光以及暗态时均一性不良等问题，提高的显示装置的显示效果。

为达到上述目的，本发明的实施例采用如下技术方案：

一方面，提供一种显示面板的切割方法，包括：

在显示面板的上表面及下表面形成保护层，所述保护层包括阵列的保护区域及多个待切割区域，其中，所述待切割区域设置于相邻的保护区域之间；

采用湿法刻蚀或干法刻蚀工艺，刻蚀所述待切割区域所对应的显示面板。

所述在显示面板的上表面及下表面形成保护层的方法包括：

采用喷墨或印刷或层压的方式，在所述显示面板的上表面及下表面形成所述保护层。

所述保护层的材料为石蜡或树脂。

所述保护层厚度在10微米至100微米的范围内。

所述显示面板的上表面的保护区域与所述显示面板的下表面的保护区域一一对应，所述显示面板的上表面的待切割区域与所述显示面板的下表面的待切割区域一一对应。

采用湿法刻蚀工艺，刻蚀所述待切割区域所对应的显示面板的方法包括：

采用氢氟酸和磷酸的混合溶液，刻蚀所述待切割区域所对应的显示面板。

所述氢氟酸的重量百分比在0.5％至10％的范围内，所述磷酸的重量百分比在85％至60％的范围内。

采用干法刻蚀工艺，刻蚀所述待切割区域所对应的显示面板的方法包括：

利用等离子体刻蚀法或反应离子刻蚀法，采用三氟甲烷和氩的混合气体，或者四氟化碳和氩的混合气体，或者六氟化硫气体，刻蚀所述待切割区域所对应的显示面板。

所述显示面板为液晶显示面板或有机发光二极管显示面板。

另一方面，提供一种显示装置，所述显示装置为如上述任意所述的显示面板的切割方法切割所得。

本发明实施例提供了显示面板的切割方法及显示装置，在进行显示面板的切割时，可以通过在显示面板的上表面及下表面形成保护层，该保护层包括阵列的保护区域及多个待切割区域，其中，待切割区域设置于相邻的保护区域之间，进而采用湿法刻蚀或干法刻蚀工艺，刻蚀待切割区域所对应的显示面板。通过该方案，首先在显示面板对应区域形成保护区域和待切割区域，再采用湿法刻蚀或干法刻蚀对待切割区域对应的显示面板进行切割，进而能够避免现有技术由于采用应力切割或热切割的方式切割显示面板而导致的显示装置漏光以及暗态时均一性不良等问题，提高的显示装置的显示效果。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为现有技术的显示面板的切割布局示意图；

图2为本发明实施例的显示面板的切割方法流程示意图；

图3为本发明实施例的显示面板的切割布局示意图；

图4为图3的a-a向截面图；

图5为本发明实施例的显示面板结构示意图。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

本发明实施例提供一种显示面板的切割方法，包括：