[发明专利]静态随机存储器结构

权利要求书

1.一种静态随机存储器结构，其特征在于，包括：

存储区，所述存储区具有第一存储节点和与所述第一存储节点互补的第二存储节点；

读取区，所述读取区包括第一读取传输管和第二读取传输管，所述第一读取传输管的栅极和所述第二读取传输管的栅极与读取字线电连接；所述第一读取传输管的漏极与第一读位线和第一存储节点中的一个电连接，所述第一读取传输管的源极与另一个电连接；所述第二读取传输管的漏极与第二读位线和第二存储节点中的一个电连接，所述第二读取传输管的源极与另一个连接；

写入区，所述写入区包括第一写入传输管和第二写入传输管，所述第一写入传输管的栅极和所述第二写入传输管的栅极与写入字线电连接；所述第一写入传输管的漏极与第一写位线和第一存储节点中的一个电连接，所述第一写入传输管的源极与另一个电连接；所述第二写入传输管的漏极与第二写位线和第二存储节点中的一个电连接，所述第二写入传输管的源极与另一个电连接；

其中，所述第一读取传输管和所述第二读取传输管的结构相同，且所述第一读取传输管与所述第二读取传输管旋转对称，所述第一写入传输管和所述第二写入传输管的结构相同，且所述第一写入传输管与所述第二写入传输管旋转对称。

2.如权利要求1所述的静态随机存储器结构，其特征在于，所述第一读取传输管与所述第一写入传输管的结构相同或者不同。

3.如权利要求1所述的静态随机存储器结构，其特征在于，所述第一读取传输管、第二读取传输管、第一写入传输管和第二写入传输管为NMOS晶体管。

4.如权利要求1所述的静态随机存储器结构，其特征在于，所述存储区包括第一反相器和第二反相器，所述第一反相器的输出端与所述第二反相器的输入端电连接，构成第一存储节点；所述第一反相器的输入端与所述第二反相器的输出端电连接，构成第二存储节点。

5.如权利要求4所述的静态随机存储器结构，其特征在于，所述第一反相器包括第一上拉PMOS晶体管和第一下拉NMOS晶体管，所述第一上拉PMOS晶体管的源极接电源；所述第一下拉NMOS晶体管的源极接地；所述第一上拉PMOS晶体管的栅极与所述第一下拉NMOS晶体管的栅极连接，构成第一反相器的输入端；所述第一上拉PMOS晶体管的漏极与所述第一下拉NMOS晶体管的漏极连接，构成第一反相器的输出端。

6.如权利要求5所述的静态随机存储器结构，其特征在于，所述第一上拉PMOS晶体管位于第一N型有源区，所述第一下拉NMOS晶体管和所述第一写入传输管位于第一P型有源区，所述第一读取传输管位于第二P型有源区。

7.如权利要求6所述的静态随机存储器结构，其特征在于，所述第一下拉NMOS晶体管和所述第一写入传输管的沟道宽度相同。

8.如权利要求7所述的静态随机存储器结构，其特征在于，所述第一P型有源区为矩形。

9.如权利要求4所述的静态随机存储器结构，其特征在于，所述第二反相器包括第二上拉PMOS晶体管和第二下拉NMOS晶体管，所述第二上拉PMOS晶体管的源极接电源；所述第二下拉NMOS晶体管的源极接地；所述第二上拉PMOS晶体管的栅极与所述第二下拉NMOS晶体管的栅极连接，构成第二反相器的输入端；所述第二上拉PMOS晶体管的漏极与所述第二下拉NMOS晶体管的漏极连接，构成第二反相器的输出端。

10.如权利要求9所述的静态随机存储器结构，其特征在于，所述第二上拉PMOS晶体管位于第二N型有源区，所述第二下拉NMOS晶体管和所述第二写入传输管位于第三P型有源区，所述第二读取传输管位于第四P型有源区。

11.如权利要求10所述的静态随机存储器结构，其特征在于，所述第二写入传输管与所述第二下拉NMOS晶体管的沟道宽度相同。

12.如权利要求11所述的静态随机存储器结构，其特征在于，所述第三P型有源区为矩形。