[发明专利]多补偿结构的高精度电容式压力传感器

权利要求书

1.一种多补偿结构的高精度电容式压力传感器，包括上基底（100）和下基底（200），上基底（100）的下表面与下基底（200）的上表面接触；其特征是：在所述下基底（200）上设有中部通槽（201），在中部通槽（201）中设置可动膜片（41），可动膜片（41）与中部通槽（201）的侧壁气密连接，在可动膜片（41）的上表面设置第一支撑部（2011），在可动膜片（41）的下表面设置检测受力岛（5），在第一支撑部（2011）的两侧分别对称设置第一检测电极（111）和第二检测电极（121）；在所述上基底（100）的下表面对应于第一支撑部（2011）的位置设有第一槽体（101），第一槽体（101）的尺寸大于第一支撑部（2011）的尺寸；在所述第一槽体（101）的侧壁分别对称设置第三检测电极（112）和第四检测电极（122），第一检测电极（111）和第三检测电极（112）相对设置，第二检测电极（121）和第四检测电极（122）相对设置。

2.如权利要求1所述的多补偿结构的高精度电容式压力传感器，其特征是：在所述中部通槽（201）的左侧设置左部凹陷区域（202），左部凹陷区域（202）的底部为支撑床（42），在支撑床（42）的表面设置第二支撑部（2021），在第二支撑部（2021）的两侧分别对称设置第一参考电极（211）和第二参考电极（221）；在所述上基底（100）的下表面对应于第二支撑部（2021）的位置设有第二槽体（102），第二槽体（102）的尺寸大于第二支撑部（2021）的尺寸；在所述第二槽体（102）的侧壁分别对称设置第五参考电极（212）和第六参考电极（222），第一参考电极（211）和第五参考电极（212）相对设置，第二参考电极（221）和第六参考电极（222）相对设置。

3.如权利要求1所述的多补偿结构的高精度电容式压力传感器，其特征是：在所述中部通槽（201）的右侧设置右部通槽（203），在右部通槽（203）中设置参考膜片（43），参考膜片（43）与右部通槽（203）的侧壁气密连接，在参考膜片（43）的上表面设置第三支撑部（2031），在参考膜片（43）的下表面设置参考受力岛（6），在第三支撑部（2031）的两侧分别对称设置第三参考电极（311）和第四参考电极（321）；在所述上基底（100）的下表面对应于第三支撑部（2031）的位置设有第三槽体（103），第三槽体（103）的尺寸大于第三支撑部（2031）的尺寸；在所述第三槽体（103）的侧壁分别对称设置第七参考电极（312）和第八参考电极（322），第三参考电极（311）和第七参考电极（312）相对设置，第四参考电极（321）和第八参考电极（322）相对设置。

4.如权利要求3所述的多补偿结构的高精度电容式压力传感器，其特征是：所述参考膜片（43）的宽度小于可动膜片（41）的宽度。

5.如权利要求1所述的多补偿结构的高精度电容式压力传感器，其特征是：在所述上基底（100）上分别设置第三检测电极（112）和第四检测电极（122）的电极引线孔。

6.如权利要求2所述的多补偿结构的高精度电容式压力传感器，其特征是：在所述上基底（100）上分别设置第五参考电极（212）和第六参考电极（222）的电极引线孔。

7.如权利要求3所述的多补偿结构的高精度电容式压力传感器，其特征是：在所述上基底（100）上分别设置第七参考电极（312）和第八参考电极（322）的电极引线孔。

8.如权利要求1所述的多补偿结构的高精度电容式压力传感器，其特征是：所述上基底（100）和下基底（200）为硅基底。