[发明专利]沉积装置及使用该装置的薄膜沉积方法有效
申请号: | 201310183635.5 | 申请日: | 2013-05-17 |
公开(公告)号: | CN103805944B | 公开(公告)日: | 2017-12-26 |
发明(设计)人: | 任子贤;田炳勋;李宽熙 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司 |
主分类号: | C23C14/22 | 分类号: | C23C14/22;C23C14/54 |
代理公司: | 北京英赛嘉华知识产权代理有限责任公司11204 | 代理人: | 余朦,姚志远 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 沉积 装置 使用 薄膜 方法 | ||
技术领域
本发明涉及沉积装置及使用该装置的薄膜沉积方法。
背景技术
平板显示器或者半导体器件包括沉积在基底基板上的至少一个以上的薄膜。所述薄膜包括:有机物、无机物、或者有机物和无机物的混合物。所述有机物和无机物中,可以分别混合有两种以上的物质。在沉积装置内形成所述薄膜。
沉积装置包括:沉积室;以及提供沉积物质的沉积源。在所述沉积室设置有基底基板,所述沉积源向所述基底基板提供所述沉积物质。
一个沉积装置形成一种薄膜。为了在所述基底基板上形成另一种薄膜,需要其它的沉积装置。
发明内容
本发明的一目的在于,提供一种可形成多个薄膜的沉积装置。
本发明的另一目的在于,提供一种通过所述沉积装置沉积薄膜的方法。
根据本发明一实施例的沉积装置包括:沉积室、第一组沉积源以及第二组沉积源。所述沉积室包括:第一等候区域、沉积区域以及第二等候区域。在所述第一等候区域和所述第二等候区域之间可以设置有所述沉积区域。
所述第一组沉积源用于从所述第一等候区域向所述沉积区域移动、并且向设置在所述沉积区域的基底基板提供第一组沉积物质。所述第二组沉积源用于从所述第二等候区域向所述沉积区域移动、并且向所述基底基板提供第二组沉积物质。
所述第一组沉积源和所述第二组沉积源可以用于交替地或同时向所述基底基板提供所述第一组沉积物质和所述第二组沉积物质。
所述第一组沉积源包括:用于提供第一物质的第一沉积喷嘴部;以及用于提供与所述第一物质不同的第二物质的第二沉积喷嘴部。此时,所述第一组沉积物质是所述第一物质和所述第二物质的混合物。
根据本发明一实施例的沉积装置还包括:用于移动所述第一组沉积源的第一传输部件;以及用于移动所述第二组沉积源的第二传输部件。
所述第一传输部件和所述第二传输部件分别包括:用于收容对应的沉积源的本体部件;以及与所述本体部件连接的驱动部件。通过第一导轨,引导所述第一传输部件。所述第一导轨至少从所述第一等候区域延伸至所述沉积区域。通过第二导轨,引导所述第二传输部件。所述第二导轨至少从所述第二等候区域延伸至所述沉积区域。
根据本发明一实施例的沉积装置还包括:保持部件,在所述沉积区域中,与所述沉积室结合,并且固定所述基板。
根据本发明一实施例的薄膜制造方法,首先,在所述沉积室的所述第一等候区域和所述第二等候区域分别设置第一组沉积源和第二组沉积源。然后,从所述第一等候区域开始,所述第一组沉积源在所述沉积区域中进行往返。此时,所述第一组沉积源通过排出第一组沉积物质,从而在所述基底基板上沉积第一薄膜。然后,从所述第二等候区域开始,所述第二组沉积源在所述沉积区域中进行往返。此时,通过排出第二组沉积物质,从而在所述第一薄膜上沉积第二薄膜。
根据本发明一实施例的薄膜制造方法,首先,在所述沉积室的所述第一等候区域和所述第二等候区域分别设置第一组沉积源和第二组沉积源。然后,所述第一组沉积源从所述第一等候区域向所述第二等候区域移动。然后,从所述第二等候区域开始,所述第一组沉积源和所述第二组沉积源在所述沉积区域中进行往返的期间,分别排出第一组沉积物质和第二组沉积物质,从而在所述基底基板上沉积薄膜。然后,所述第一组沉积源从所述第二等候区域向所述第一等候区域移动。
根据本发明实施例,所述沉积装置可以在一个沉积室中形成两种以上的薄膜。此外,所述沉积装置可以形成由混合物形成的薄膜。
此外,通过调节所述第一组沉积源和所述第二组沉积源停留在所述沉积室的所述沉积区域中的时间,从而可以分别调节所述第一薄膜和所述第二薄膜的厚度。
此外,所述第一组沉积源和所述第二组沉积源通过在所述沉积室的所述沉积区域内移动、并且分别提供所述第一组沉积物质和所述第二组沉积物质,因此提高了所述第一薄膜和所述第二薄膜的均匀性。
附图说明
图1是根据本发明一实施例的沉积装置的截面图。
图2是图1所示的沉积装置的平面图。
图3a至图3e是表示根据本发明一实施例的沉积方法的示意图。
图4a至图4e是表示根据本发明一实施例的沉积方法的示意图。
图5是根据本发明一实施例的沉积装置的截面图。
图6是图5所示的沉积装置的平面图。
图7a至图7e是表示根据本发明一实施例的沉积方法的示意图。
附图标记说明
100:沉积室; 100A:第一等候区域;
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