[发明专利]热处理方法和热处理装置

说明书

技术领域

本发明涉及一种通过对作为基材或者粘接剂含有树脂的被处理体照射光来加热该被处理体的热处理方法和热处理装置。

背景技术

在半导体器件的制造工艺中，杂质导入是在半导体晶片内形成pn结的必需工序。现在，杂质导入通常是采用离子注入法和此后的退火法来进行。离子注入法是将硼（B）、砷（As）、磷（P）的杂质（掺杂物）的元素离子化后在高加速电压下冲撞半导体晶片进行物理性杂质注入的技术。被注入的杂质经过退火处理而得到活化。

近年来，伴随着半导体器件的更微细化发展，要求更浅的接合，尝试了采用闪光灯退火（FLA）对杂质进行极短时间的加热并在抑制扩散的同时使其得到活化的技术。但是，在闪光灯退火时，由于照射时间极短、照射强度强的闪光的缘故，存在晶片破裂或者难以获得均匀的温度分布的问题。

因此，在专利文献1、2中公开了一种在闪光灯与晶片之间设置透过率已被调节的板状部件并对闪光灯射出的闪光的部分或者全部进行减光的技术。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2009-123807号公报

专利文献2：日本特开2009-260061号公报

发明内容

另一方面，近年来，以电子纸等所代表的薄且柔性的电子设备受到了关注。在这种柔性电子设备的制造工序中，在树脂等基材的表面上层叠有电极等功能层的被处理体，也需要退火处理。

以往，采用树脂作为基材的被处理体的退火处理，通常是采用温度较低的烘炉耗费几小时进行。树脂与硅基板、玻璃基板相比耐热性明显低，因此不得不采用较低的烘炉温度。

然而，根据近年来迅速发展的柔性电子设备的种类的不同，也有时必需将功能层加热至树脂耐热温度的界限以上。另外，根据功能层的种类的不同，也有时与上述半导体晶片的热处理同样地，必须采用更短的退火时间才能得到所需特性。并且，若退火时间需要几小时，也难免存在生产效率低下的问题。

为了解决这些课题，对采用树脂作为基材的被处理体而言，也考虑使用上述闪光灯退火。若采用闪光灯退火，则退火时间极短，也可选择性地只加热被处理体表层的功能层。

但是，通常，树脂材料具有在紫外线照射下容易劣化的性质。并且，氙的闪光灯的放射光谱分布是从紫外线区至近红外线区，与卤素灯等相比是转移至短波长一侧。因此，树脂基材会产生所谓因闪光灯光的照射而损伤的新的问题。

本发明是鉴于上述课题而完成的，其目的在于提供一种能够不损伤被处理体中所含的树脂地对被处理体进行光照射加热的热处理方法和热处理装置。

为了解决上述课题，本发明的技术方案1的发明是一种热处理方法，其通过对含有树脂的被处理体照射光来加热该被处理体，其特征在于，采用从光源射出的光中去除损伤前述树脂的波长区域的光照射前述被处理体。

另外，技术方案2的发明，其特征在于，在技术方案1的发明的热处理方法中，从前述光源射出的光中去除了波长在400nm以下的紫外光。

另外，技术方案3的发明，其特征在于，在技术方案2的发明的热处理方法中，通过使从前述光源射出的光透过过滤器而去除了波长在400nm以下的紫外光。

另外，技术方案4的发明，其特征在于，在技术方案1至3中的任一发明的热处理方法中，前述被处理体具有树脂基材。

另外，技术方案5的发明，其特征在于，在技术方案1至3中的任一项发明的热处理方法中，前述被处理体具有利用树脂粘接剂来贴附基材的结构。

另外，技术方案6的发明是一种热处理装置，其通过对含有树脂的被处理体照射光而加热该被处理体，其特征在于，其具有保持前述被处理体的保持装置、对保持于前述保持装置的前述被处理体照射光的光源、以及设置于前述保持装置与前述光源之间的去除损伤前述树脂的波长区域的过滤器。

另外，技术方案7的发明，其特征在于，在技术方案6的发明的热处理装置中，前述过滤器去除了波长在400nm以下的紫外光。

另外，技术方案8的发明，其特征在于，在技术方案6的发明的热处理装置中，前述过滤器具有封入了着色水的板状部件。

另外，技术方案9的发明，其特征在于，在技术方案6的发明的热处理装置中，前述光源具有照射闪光的闪光灯。

另外，技术方案10的发明，其特征在于，在技术方案6至9中的任一发明的热处理装置中，前述被处理体具有树脂的基材。

另外，技术方案11的发明，其特征在于，在技术方案6至9中的任一发明的热处理装置中，前述被处理体具有利用树脂粘接剂来贴附基材的结构。