[发明专利]一种背照图像传感器的制造方法

权利要求书

1.一种背照图像传感器的制造方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：

S1、在含模拟信号处理电路的中间晶圆的第一表面上制备TSV和微凸点；

S2、在含背照图像传感器模块的BSI晶圆的第一表面上制备和微凸点匹配的金属互连；

S3、将中间晶圆的第一表面和BSI晶圆的第一表面进行面对面键合；

S4、以BSI晶圆为载体将中间晶圆从中间晶圆的第二表面处进行减薄；

S5、在中间晶圆的第二表面上刻蚀露出TSV并制备凸点；

S6、在中间晶圆的第二表面上键合辅助晶圆；

S7、以辅助晶圆和中间晶圆为载体将BSI晶圆从BSI晶圆的第二表面处进行减薄；

S8、在BSI晶圆上完成背照图像传感器模块的后续制程；

S9、去除中间晶圆第二表面上的辅助晶圆；

S10、划片得到键合后的中间芯片和BSI芯片，并将键合后的中间芯片和BSI芯片键合至基板上。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤S4中减薄后的中间晶圆的厚度为30～100μm。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤S6具体为：

在中间晶圆的第二表面上甩胶，通过热压胶粘的方式将辅助晶圆键合到中间晶圆的第二表面上。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤S7中BSI晶圆减薄至BSI晶圆露出像素阵列结构。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述微凸点为呈凸起状的金属以及位于所述金属上的过渡金属层或焊料，金属互连包括呈平面的金属端面。

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述过渡金属层包括化鎳鈀浸金、或化鎳浸金；所述焊料包括铟或化锡。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤S10中键合后的中间芯片和BSI芯片通过倒装键合的方式键合至基板上。

8.一种背照图像传感器的制造方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：

S1、在含模拟信号处理电路的中间晶圆的第一表面上制备微凸点；

S2、在含背照图像传感器模块的BSI晶圆的第一表面上制备和微凸点匹配的金属互连；

S3、将中间晶圆的第一表面和BSI晶圆的第一表面进行面对面键合；

S4、以BSI晶圆为载体将中间晶圆从中间晶圆的第二表面处进行减薄；

S5、在中间晶圆的第二表面上制备TSV和凸点；

S6、在中间晶圆的第二表面上键合辅助晶圆；

S7、以辅助晶圆和中间晶圆为载体将BSI晶圆从BSI晶圆的第二表面处进行减薄；

S8、在BSI晶圆上完成背照图像传感器模块的后续制程；

S9、去除中间晶圆第二表面上的辅助晶圆；

S10、划片得到键合后的中间芯片和BSI芯片，并将键合后的中间芯片和BSI芯片键合至基板上。