[发明专利]一种纸基易撕防伪超高频RFID标签及其制造方法有效
申请号: | 201310173518.0 | 申请日: | 2013-05-09 |
公开(公告)号: | CN103246918A | 公开(公告)日: | 2013-08-14 |
发明(设计)人: | 刘彩凤;黄爱宾;胡日红 | 申请(专利权)人: | 杭州电子科技大学;杭州美思特电子科技有限公司 |
主分类号: | G06K19/077 | 分类号: | G06K19/077 |
代理公司: | 浙江杭州金通专利事务所有限公司 33100 | 代理人: | 周希良;徐关寿 |
地址: | 310018 浙*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 纸基易撕 防伪 超高频 rfid 标签 及其 制造 方法 | ||
技术领域
本发明属于物联网电子标签技术领域,也属于防伪技术领域,具体涉及一种纸基易撕防伪超高频RFID标签及其制造方法。
背景技术
射频识别技术应用射频识别信号对目标物进行识别。射频识别技术是一种内建无线电芯片的技术,芯片中可储存一系列信息。通常,RFID系统由电子标签、读写器和数据管理系统这三个主要部分组成。
电子标签由天线和RFID芯片组成,每个芯片都含有唯一的识别码,用来表示电子标签所附着的物体。RFID标签的是由RFID天线封装芯片后贴标印刷获得的。目前RFID天线主要有以下几种制造方法:
一、绕线工艺:采用铜线圈绕制。缺点是成本高,生产速度慢。超高频天线很少采用这种工艺。
二、布线工艺:要求材料能够超声探头热熔。
三、丝网印刷工艺:通常采用导电银浆在丝网印刷机上印刷。缺点是成本高且电导率受限;优点是对基材选择性高。
四、电镀铜工艺:缺点是有污染且工艺生产线产能要求较高,只有量大才具有成本优势。
五、模切工艺:缺点是模切机械易磨损,产品精度较低。该工艺目前尚处于研发阶段。
六、蚀刻工艺:该工艺技术成熟,蚀刻天线电路精度高,柔性好,性能稳定,是目前的主流工艺,但,因其是“减法”制造工艺,故存在成本控制问题,以及涉及对废酸处理的环保回收问题。
在RFID技术的许多实际应用(例如酒类溯源、烟草验证、票证防伪、电器防伪等领域)中,要求RFID标签具有一次性使用的特点,即要求RFID标签一撕即毁,不能够被转移重复使用。
目前实际使用的易撕RFID标签主要有两种类型,第一类如中国专利号201220361570.X公开了一种RFID易碎蚀刻天线,封装RFID芯片,再将贴了芯片的天线转移复合到易碎不干胶纸上,制成RFID标签。但,此天线制造难度高,合格率低,天线转移到易碎纸上难度很大,套准精度低,废品率高,且无法自动排废,制造成本高昂。另一种是在易碎纸上印刷银浆天线,然后封装芯片,制成RFID标签。这种方法由于印制银浆天线的电化学性能差,标签阅读性能低,而且制造成本高昂,限制了其应用领域。
发明内容
为解决现有易撕防伪RFID标签存在制造成本高、性能不稳定、废品率高等问题,本发明涉及一种纸基易撕防伪超高频RFID标签及其制造方法。
本发明采取以下技术方案:一种纸基易撕防伪超高频RFID标签,易破坏层(1)、电子芯片层(3)、天线电路层(4)、薄膜基材层(6)、纸基支撑层(8)、底纸层(10),易破坏层(1)的内侧表面粘接电子芯片层(3)的一面,电子芯片层(3)的另一面复合天线电路层(4)的一面,天线电路层(4)的另一面粘接薄膜基材层(6)的一面,薄膜基材层(6)的另一面粘接纸基支撑层(8)的一面,纸基支撑层(8)的另一面粘接底纸层(10)。
塑料薄膜基材的厚度在12μm~25μm之间。电晕处理后塑料薄膜表面润湿张力为40~55mN/m。版纹金属压辊的结构为表面雕刻有布纹型或十字花型或锯齿形等图案,版纹分辨率为40~120目/inch,版纹深度为40~90μm。金属压辊与薄膜的滚压压力为2~7MPa,速度为15~50m/min。所制得的塑料薄膜纵向拉伸强度不低于90MPa,且任意方向能够徒手撕裂。
天线电路层(4)的另一面通过干法复合工艺粘合剂层(5)粘接薄膜基材层(6)的一面,干法复合工艺粘合剂层为耐高温(耐温>160℃)双组份聚氨酯胶,涂胶厚度为1~6μm,涂胶辊分辨率为100~200目/inch,网孔深度为20~40μm,主剂:固化剂:溶剂=10:1:6~10:1:25,烘道温度为40℃~100℃,熟化时间为2~5天,熟化温度为35℃~70℃。
纸质基材采用易撕裂性优良的纸,例如轻涂纸、超亚纸、新闻纸等,且所述纸质基材的厚度为40~150μm。
易破坏层采用可以成型但容易破坏的材料制作,例如(但不限于)易碎纸、糯米纸、薄层铜版纸、易破坏的高分子材料等,且所述易破坏层厚度为100~400μm。
(注:高频与超高频的工作原理不同,高频的工作频段在3~30MHz,采用电感耦合方式获取能量工作。超高频的工作频段在300MHz~3GHz,通过电磁耦合方式获取能量工作。)
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