[发明专利]铕掺杂硫代铝酸盐发光材料、制备方法及其应用

权利要求书

1.一种铕掺杂硫代铝酸盐发光材料，其特征在于：其化学式为MeAl₂S₄：xEu³⁺，MeAl₂S₄是基质，Eu³⁺离子是激活元素，其中，x为0.01～0.08，Me为镁元素、钙元素、锶元素、钡元素和锌元素中的一种。

2.根据权利要求1所述的发光材料，其特征在于：所述x为0.05。

3.一种铕掺杂硫代铝酸盐发光材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

根据MeAl₂S₄：xEu³⁺各元素的化学计量比称取MeS，Al₂S₃和Eu₂S₃粉体并混合均匀，其中，x为0.01～0.08，Me为镁元素、钙元素、锶元素、钡元素和锌元素中的一种；及

将混合均匀的粉体在900℃～1300℃下烧结0.5小时～5小时即得到化学式为MeAl₂S₄：xEu³⁺的铕掺杂硫代铝酸盐发光材料。

4.一种铕掺杂硫代铝酸盐发光薄膜，其特征在于，该铕掺杂硫代铝酸盐发光薄膜的材料的化学通式为MeAl₂S₄：xEu³⁺，MeAl₂S₄是基质，Eu³⁺离子是激活元素，其中，x为0.01～0.08，Me为镁元素、钙元素、锶元素、钡元素和锌元素中的一种。

5.一种铕掺杂硫代铝酸盐发光薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

根据MeAl₂S₄：xEu³⁺各元素的化学计量比称取MeS，Al₂S₃和Eu₂S₃粉体并混合均匀，其中，x为0.01～0.08，Me为镁元素、钙元素、锶元素、钡元素和锌元素中的一种；

将所述靶材以及衬底装入磁控溅射镀膜设备的真空腔体，并将真空腔体的真空度设置为1.0×10^-3Pa～1.0×10^-5Pa；及

调整磁控溅射镀膜工艺参数为：基靶间距为45mm～95mm，磁控溅射工作压强0.2Pa～4Pa，工作气体的流量为10sccm～35sccm，衬底温度为250℃～750℃，接着进行制膜，得到化学式为MeAl₂S₄：Eu³⁺的铕掺杂硫代铝酸盐发光薄膜。

6.根据权利要求5所述的铕掺杂硫代铝酸盐发光薄膜的制备方法，其特征在于，还包括步骤：将所述铕掺杂硫代铝酸盐发光薄膜于500℃～800℃下真空退火处理1h～3h。

7.一种薄膜电致发光器件，该薄膜电致发光器件包括依次层叠的衬底、阳极层、发光层以及阴极层，其特征在于，所述发光层的材料为铕掺杂硫代铝酸盐发光材料，该铕掺杂硫代铝酸盐发光材料的化学式为MeAl₂S₄：xEu³⁺，MeAl₂S₄是基质，Eu³⁺离子是激活元素，其中，x为0.01～0.08，Me为镁元素、钙元素、锶元素、钡元素和锌元素中的一种。

8.一种薄膜电致发光器件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

提供具有阳极的衬底；

在所述阳极上形成发光层，所述发光层的材料为铕掺杂硫代铝酸盐发光材料，该铕掺杂硫代铝酸盐发光材料的化学式为MeAl₂S₄：xEu³⁺，MeAl₂S₄是基质，Eu³⁺离子是激活元素，其中，x为0.01～0.08，Me为镁元素、钙元素、锶元素、钡元素和锌元素中的一种；

在所述发光层上形成阴极。