[发明专利]避免硅衬底表面损伤的方法有效
| 申请号： | 201310165076.5 | 申请日： | 2013-05-07 |
| 公开（公告）号： | CN103258731A | 公开（公告）日： | 2013-08-21 |
| 发明（设计）人： | 王恺;陈宏璘;龙吟;倪棋梁 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/3105 | 分类号： | H01L21/3105 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人： | 竺路玲 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 避免 衬底 表面 损伤 方法 | ||
1.一种避免硅衬底表面损伤的方法，应用于离子注入工艺中，所述硅衬底的上表面覆盖一具有缺陷的氧化层，其特征在于，所述方法包括：
采用含氧气体对所述氧化层进行修复工艺，以去除所述缺陷；
对所述硅衬底继续进行所述离子注入工艺。
2.根据权利要求1所述的避免硅衬底表面损伤的方法，其特征在于，所述缺陷为进行离子注入工艺和/或光刻和/或刻蚀工艺后对所述氧化层造成的损伤。
3.根据权利要求1所述的避免硅衬底表面损伤的方法，其特征在于，具体包括以下步骤：
步骤S1、提供一衬底，所述衬底形成有栅极结构，所述衬底包括源极区域和漏极区域；
步骤S2、于所述栅极结构的上表面制备一层牺牲氧化层；
步骤S3、进行离子注入及光刻工艺，并去除光刻胶；
步骤S4、通入含氧混合反应气体以防止所述牺牲氧化层的上表面的损伤；
步骤S5、进行后续的离子注入工艺及高温和酸槽工艺。
4.根据权利要求2所述的避免硅衬底表面损伤的方法，其特征在于，步骤S1中的所述衬底为P型衬底。
5.根据权利要求2所述的避免硅衬底表面损伤的方法，其特征在于，步骤S2中的所述牺牲氧化层的厚度为80A～120A。
6.根据权利要求2所述的避免硅衬底表面损伤的方法，其特征在于，步骤S4中的所述含氧混合反应气体为O2和N2或O2和H2的混合气体。
7.根据权利要求6所述的避免硅衬底表面损伤的方法，其特征在于，通入所述O2和N2的气体比例为9：1，流量为8000～9000sccm，反应时间30～60秒，温度范围200℃～300℃。
8.根据权利要求6所述的避免硅衬底表面损伤的方法，其特征在于，通入所述O2和H2的气体比例为6：1，流量为1000～4000sccm，反应时间30～60秒，温度范围200℃～300℃。
9.根据权利要求1所述的避免硅衬底表面损伤的方法，其特征在于，所述离子注入工艺为大颗粒高能量离子注入工艺。
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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