[发明专利]一种像素结构及其驱动方法、显示装置有效

专利信息
申请号: 201310164041.X 申请日: 2013-05-07
公开(公告)号: CN103257498A 公开(公告)日: 2013-08-21
发明(设计)人: 张明;郝昭慧;尹雄宣 申请(专利权)人: 京东方科技集团股份有限公司;北京京东方显示技术有限公司
主分类号: G02F1/1368 分类号: G02F1/1368;G02F1/133
代理公司: 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 代理人: 申健
地址: 100015 *** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 一种 像素 结构 及其 驱动 方法 显示装置
【权利要求书】:

1.一种像素结构,包括:公共电极线、由横纵交叉的栅线和数据线界定出的至少一个像素单元,所述像素单元包括薄膜晶体管和像素电极;其特征在于,所述像素结构还包括:附加驱动信号线;

所述附加驱动信号线形成用于补偿所述像素结构内寄生电容电荷的附加电容;

所述附加驱动信号线输入信号与所述栅线输入信号的相位相反。

2.根据权利要求1所述的像素结构,其特征在于,所述附加电容包括:

所述附加驱动信号线与所述薄膜晶体管的漏极形成的第一电容;和/或,

所述附加驱动信号线与所述像素电极形成的第二电容。

3.根据权利要求1所述的像素结构,其特征在于,所述附加驱动信号线输入信号用于补偿所述像素电极的电压。

4.根据权利要求1-3任一所述的像素结构,其特征在于,

所述附加驱动信号线与所述栅线平行;和/或,

所述附加驱动信号线与所述数据线平行。

5.根据权利要求4所述的像素结构,其特征在于,所述附加驱动信号线与所述栅线平行包括:

所述附加驱动信号线与所述栅线为同层金属材料形成;或,

所述附加驱动信号线与所述栅线异层设置。

6.根据权利要求5所述的像素结构,其特征在于,当所述附加驱动信号线与所述栅线异层设置时,所述附加驱动信号线与所述薄膜晶体管的漏极形成第一电容包括:

所述附加驱动信号线与所述薄膜晶体管的漏极以及延伸电极形成第一电容,所述延伸电极为所述薄膜晶体管的漏极沿所述驱动信号线方向延伸的区域,所述延伸电极与所述薄膜晶体管的漏极电连接。

7.根据权利要求4所述的像素结构,其特征在于,所述附加驱动信号线与所述数据线平行包括:

所述附加驱动信号线与所述数据线为同层金属材料形成;或,

所述附加驱动信号线与所述数据线异层设置。

8.根据权利要求1-3任一所述的像素结构,其特征在于,所述附加驱动信号线包括:第一子附加驱动信号线和第二子附加驱动信号线;

所述第一子附加驱动信号线与所述栅线或所述数据线平行,且所述第一子附加驱动信号线位于所述栅线或所述数据线区域之外;

所述第二子附加驱动信号线位于所述栅线或所述数据线区域。

9.根据权利要求1-3任一所述的像素结构,其特征在于,所述像素结构还包括至少一组平行的引线区域,每一组所述引线区域包括第一端口和第二端口;

所述第一端口用于引入所述附加驱动信号线输入的信号,所述第二端口用于引入所述栅线或所述数据线输入的信号。

10.根据权利要求9所述的像素结构,其特征在于,所述像素结构还包括:

与所述第一端口电连接的第一电路区域,用于驱动所述附加驱动信号线;

与所述第二端口电连接的第二电路区域,用于驱动所述栅线或所述数据线。

11.根据权利要求1所述的像素结构,其特征在于,所述附加驱动信号线采用透明导电材料制成。

12.一种显示装置,其特征在于,包括权利要求1-11中任一所述像素结构。

13.一种像素结构驱动方法,所述像素结构包括:公共电极线、由横纵交叉的栅线和数据线界定出的至少一个像素单元,所述像素单元包括薄膜晶体管和像素电极;其特征在于,所述方法包括:

所述栅线输入信号,用于逐行开启所述薄膜晶体管;

所述数据线输入信号,用于当所述薄膜晶体管开启时,通过所述薄膜晶体管的漏极向所述像素电极供电;

附加驱动信号线输入信号与所述栅线输入信号的相位相反;

其中,所述附加驱动信号线形成用于补偿所述像素结构内寄生电容电荷的附加电容。

14.根据权利要求13所述的像素结构驱动方法,其特征在于,所述附加电容包括:

所述附加驱动信号线与所述薄膜晶体管的漏极形成的第一电容;和/或,

所述附加驱动信号线与所述像素电极形成的第二电容。

15.根据权利要求13所述的像素结构驱动方法,其特征在于,所述方法还包括:

所述附加驱动信号线输入用于补偿所述像素电极电压的信号。

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