[发明专利]制备铜铟镓硒薄膜太阳能电池的卷对卷生产方法有效
申请号: | 201310162449.3 | 申请日: | 2013-05-06 |
公开(公告)号: | CN103227243A | 公开(公告)日: | 2013-07-31 |
发明(设计)人: | 王家雄 | 申请(专利权)人: | 王家雄 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18 |
代理公司: | 深圳市金笔知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 44297 | 代理人: | 胡清方;彭友华 |
地址: | 美国加利福尼亚*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 制备 铜铟镓硒 薄膜 太阳能电池 生产 方法 | ||
1.制备铜铟镓硒薄膜太阳能电池的卷对卷生产方法,包括:
(1)、在柔性基板的一侧表面,用真空溅射法沉积厚度为大于等于100纳米小于等于2000纳米的钼层,以及一层厚度为大于等于5纳米小于等于400纳米的铌附加层;
(2)、在铌附加层的表面电镀多层铜、铟、镓和/或硒单元素层,或铜、铟、镓和/或硒之间构成的合金层,和/或单元素层与合金层的混合层;
(3)、真空蒸发一层或多层硒,以及一层钠、钾或锂盐,于电镀的铜铟镓多层的表面或铜铟镓硒多层的表面;
(4)、将已镀有铜铟镓硒多层的基材在惰性气体气氛中,在350摄氏度至750摄氏度的恒定温度下淬火,以获得一个符合化学计量的均相的铜铟镓硒吸收层;
(5)、通过化学浴沉积方法沉积一层厚度在30至300纳米的硫化镉、硫化铟或硫化锌作为在铜铟镓硒吸收层之上的缓冲层;
(6)、真空溅射一层大于等于50纳米小于等于400 纳米的高阻抗透明导电氧化物,包括但不仅限于氧化锌(ZnO)、二氧化锡(SnO2),然后再溅射一层大于等于50 纳米小于等于400 纳米的低阻抗透明导电氧化物,包括但不仅限于氧化铟锡(ITO)或氧化铝锌(AZO)于缓冲层的表面作为窗口层。
2.根据权利要求1所述的制备铜铟镓硒薄膜太阳能电池的卷对卷生产方法,其特征在于:在所述第(1)步之前还设有柔性基板的清洗步骤,包括将基板连续性地传送入一台具有超声波能力的清洗机中, 并在加热的清洗剂溶液中经超声波洗涤后再在去离子水中超声波漂洗并干燥后, 清洁的卷将被转移到下一步骤。
3.根据权利要求1所述的制备铜铟镓硒薄膜太阳能电池的卷对卷生产方法,其特征在于:在所述第(6)步之后还设有丝网印刷导电银浆于透明导电氧化物窗口层的表面形成金属珊线步骤。
4.根据权利要求3所述的制备铜铟镓硒薄膜太阳能电池的卷对卷生产方法,其特征在于:在完成金属珊线之后,还设有将完成的电池卷切成单电池片, 测量它们的转换率并且将其分捡入不同转换率组的步骤。
5.根据权利要求1中的制备铜铟镓硒薄膜太阳能电池的卷对卷生产方法,其特征在于: 所述的基材是连续性且柔性的不锈钢、铝合金、钼、钛金属薄板卷材。
6.根据权利要求1中的制备铜铟镓硒薄膜太阳能电池的卷对卷生产方法,其特征在于:所述金属薄板卷材的厚度在 0.02 和0.2 毫米之间。
7.根据权利要求1中的制备铜铟镓硒薄膜太阳能电池的卷对卷生产方法,其特征在于:所述的基材是或厚度在 0.1 和5 毫米之间的耐高温高分子或塑料卷材。
8.根据权利要求1中的制备铜铟镓硒薄膜太阳能电池的卷对卷生产方法,其特征在于:所述的基材宽度在 0.1和2米之间。
9.根据权利要求6或7中的制备铜铟镓硒薄膜太阳能电池的卷对卷生产方法,其特征在于:所述的基材传送速度为每分钟0.3 到3 米。
10.根据权利要求1中的制备铜铟镓硒薄膜太阳能电池的卷对卷生产方法,其特征在于:在权利要求1第(6)步中所述真空溅射一层氧化锌或二氧化锡是将氧化锌或二氧化锡靶在氩气氛中进行溅射,或使用锌或锡靶在氧气与氩气的混合气氛中进行溅射以形成氧化锌及二氧化锡薄膜的。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的