[发明专利]有机电致发光器件及其制备方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种有机电致发光器件及其制备方法。

背景技术

有机电致发光器件（OLED）的发光原理是基于在外加电场的作用下，电子从阴极注入到有机物的最低未占有分子轨道（LUMO），而空穴从阳极注入到有机物的最高占有轨道（HOMO）。电子和空穴在发光层相遇、复合、形成激子，激子在电场作用下迁移，将能量传递给发光材料，并激发电子从基态跃迁到激发态，激发态能量通过辐射失活，产生光子，释放光能。

现有的OLED大部分只能将光从阳极或者阴极的一侧取出，制得底发射或顶发射OLED装置。双面发光显示的OLED装置，同时采用两个有机电致发光器件背靠背贴合在一起，这样的结构变得比较复杂。

发明内容

基于此，有必要提供一种双面发光且结构较为简单的有机电致发光器件及其制备方法。

一种有机电致发光器件，包括依次层叠的透光基底、阴极、低功函数金属层、第一发光单元、电荷产生层、第二发光单元及阳极，所述阴极的材料为透明导电氧化物，所述低功函数金属层的材料的功函数为，所述电荷产生层包括层叠于所述第一发光单元表面的金属氧化物层及层叠于所述金属氧化物层表面的n型掺杂层，所述金属氧化物层的材料选自三氧化钼、三氧化钨及五氧化二钒中的至少一种，所述n型掺杂层的材料包括有机材料及掺杂在所述有机材料中的碳酸锂，所述有机材料选自1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯、2,9-二甲基-4,7-联苯-1,10-邻二氮杂菲及8-羟基喹啉铝中的至少一种，所述碳酸锂与所述有机材料的质量比为15:100，所述阳极的材料为透明导电氧化物。

在其中一个实施例中，所述阴极的材料选自铟锡氧化物薄膜、铟锌氧化物、铝锌氧化物及镓锌氧化物中的至少一种，所述阴极的厚度为70nm～200nm。

在其中一个实施例中，所述低功函数金属层的材料选自锂、钙及镁中的至少一种，所述低功函数金属层的厚度为5nm～15nm。

在其中一个实施例中，所述金属氧化物层的厚度为5nm～10nm，所述n型掺杂层的厚度为5nm～15nm。

在其中一个实施例中，所述阳极的材料选自铟锡氧化物薄膜、铟锌氧化物、铝锌氧化物及镓锌氧化物中的至少一种，所述阳极的厚度为40nm～80nm。

一种有机电致发光器件的制备方法，包括以下步骤：

在透光基底表面真空溅镀制备阴极，所述阴极的材料为透明导电氧化物；

在所述阴极表面蒸镀制备低功函数金属层，所述低功函数金属层的材料的功函数为2.7eV～3.0eV；

在所述低功函数金属层的表面制备第一发光单元；

在所述第一发光单元的表面蒸镀制备金属氧化物层，所述金属氧化物层的材料选自三氧化钼、三氧化钨及五氧化二钒中的至少一种；

在所述金属氧化物层表面蒸镀制备n型掺杂层，所述n型掺杂层的材料包括有机材料及掺杂在所述有机材料中的碳酸锂，所述有机材料选自1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯、2,9-二甲基-4,7-联苯-1,10-邻二氮杂菲及8-羟基喹啉铝中的至少一种，所述碳酸锂与所述有机材料的质量比为15:100；

在所述n型掺杂层的表面制备第二发光单元；及

在所述第二发光单元的表面真空溅镀制备阳极，所述阳极的材料为透明导电氧化物。

在其中一个实施例中，所述阴极的材料选自铟锡氧化物薄膜、铟锌氧化物、铝锌氧化物及镓锌氧化物中的至少一种，所述阴极的厚度为70nm～200nm。

在其中一个实施例中，所述低功函数金属层的材料选自锂、钙及镁中的至少一种，所述低功函数金属层的厚度为5nm～15nm。

在其中一个实施例中，所述金属氧化物层的厚度为5nm～10nm，所述n型掺杂层的厚度为5nm～15nm。

在其中一个实施例中，所述阳极的材料选自铟锡氧化物薄膜、铟锌氧化物、铝锌氧化物及镓锌氧化物中的至少一种，所述阳极的厚度为40nm～80nm。