[发明专利]一种有机电致发光器件及其制备方法

说明书

技术领域

本发明涉及有机电致发光器件，具体涉及一种有机电致发光器件及其制备方法。

背景技术

1987年，美国Eastman Kodak公司的C.W.Tang和VanSlyke报道了有机电致发光研究中的突破性进展。利用超薄薄膜技术制备出了高亮度，高效率的双层有机电致发光器件（OLED）。在该双层结构的器件中，10V下亮度达到1000cd/m²，其发光效率为1.51lm/W、寿命大于100小时。

在传统的发光器件中，器件内部的光只有18%左右是可以发射到器件外部，而其他的部分会以其他形式消耗在器件外部，这是由于界面之间存在折射率的差（如玻璃与ITO之间的折射率之差，玻璃折射率为1.5，ITO为1.8，光从ITO到达玻璃，就会发生全反射），引起了全反射的损失，从而导致发光器件的整体出光性能较低。

发明内容

为克服上述现有技术的缺陷，本发明提供了一种有机电致发光器件及其制备方法。通过在电子注入层上制备复合阴极层，提高了有机电致发光器件的发光效率。

一方面，本发明提供了一种有机电致发光器件，包括依次层叠的导电阳极基板、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层和复合阴极层，所述复合阴极层包括依次叠层设置的第一掺杂层和第二掺杂层，

所述第一掺杂层的材料为金属酞菁化合物与铯盐形成的混合材料，所述金属酞菁化合物为酞菁铜（CuPc）、酞菁锌（ZnPc）、酞菁钒（VPc）或酞菁镁（MgPc）；所述铯盐为碳酸铯（Cs₂CO₃）、氟化铯（CsF）、叠氮铯（CsN₃）或氯化铯（CsCl）；

所述第二掺杂层的材料为金属氧化物与金属形成的混合材料，所述金属氧化物为三氧化钼（MoO₃）、三氧化钨（WO₃）或五氧化二钒（V₂O₅），所述金属为银（Ag）、铝（Al）、铂（Pt）或金（Au）。

优选地，所述第一掺杂层中，所述金属酞菁化合物与铯盐的质量比为1:0.2～0.8。

优选地，所述第二掺杂层中，所述金属氧化物与金属的质量比为0.1～0.5:1。

优选地，所述第一掺杂层的厚度为20～100nm。

优选地，所述第二掺杂层的厚度为200～500nm。

复合阴极层包括依次叠层设置的第一掺杂层和第二掺杂层。在电子注入层之上制备金属酞菁化合物与铯盐的第一掺杂层，由于金属酞菁化合物易结晶，通过结晶，可使形成的表面不再是平整的表面，而是带有一定形状的波纹状结构，这种结构可改变光的折射角，使光进行散射，减少向器件两侧发射的光，同时可使后制备上去的功能层可保持波纹状结构，有利于光散射，而掺杂的金属铯盐材料，可提高光的透过率，有利于光经过散射透过结晶层，高温下易分解，且与电子注入层为同类型材料，消除了两层之间的界面势垒，对电子注入不存在阻碍；再在第一掺杂层上制备由金属氧化物与金属形成的第二掺杂层，金属主要是增强器件的导电性，降低接触电阻，对散射的光进行反射，使其回到底部出射，而掺杂客体金属氧化物为常用的空穴注入金属氧化物材料，这种材料成膜温度低，容易成膜，可降低金属掺杂层的粗糙度，这种复合阴极层可有效提高发光效率。

导电阳极基板可以为导电玻璃基板或导电有机聚对苯二甲酸乙二醇酯基板。优选地，导电阳极基板为铟锡氧化物玻璃（ITO）、铝锌氧化物玻璃（AZO）或铟锌氧化物玻璃（IZO）。更优选地，导电阳极基板为铟锡氧化物玻璃。

空穴注入层、空穴传输层、电子传输层、电子注入层和发光层的材质不作具体限定，本领域现有材料均适用于本发明。

优选地，空穴注入层的材质为三氧化钼（MoO₃）、三氧化钨（WO₃）或五氧化二钒（V₂O₅），空穴注入层的厚度为20～80nm。

更优选地，空穴注入层的材质为三氧化钼（MoO₃），厚度为40nm。

优选地，空穴传输层的材质为1，1-二[4-[N，N′-二(p-甲苯基)氨基]苯基]环己烷（TAPC）、4,4',4''-三(咔唑-9-基)三苯胺（TCTA）或N，N’-（1-萘基）-N，N’-二苯基-4,4’-联苯二胺（NPB），厚度为20～60nm。

更优选地，空穴传输层的材质为N，N’-（1-萘基）-N，N’-二苯基-4,4’-联苯二胺（NPB），厚度为50nm。