[发明专利]存储器装置、存储器控制装置以及存储器控制方法无效
申请号: | 201310138327.0 | 申请日: | 2013-04-19 |
公开(公告)号: | CN103377704A | 公开(公告)日: | 2013-10-30 |
发明(设计)人: | 细萱祐人;麻生伸吾 | 申请(专利权)人: | 索尼公司 |
主分类号: | G11C16/06 | 分类号: | G11C16/06;G11C16/26 |
代理公司: | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人: | 余刚;吴孟秋 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 存储器 装置 控制 以及 方法 | ||
1.一种存储器装置,包括:
多个非易失性存储器部,被配置成允许一个存储器单元记录多个位的数据,并且根据作为写入控制单位的多个所述存储器单元包括所述多个位的相应数量的页;以及
控制部,被配置成对将数据写入至所述多个非易失性存储器部以及从所述多个非易失性存储器部读取数据进行控制,
其中,在所述多个非易失性存储器部中,在将数据写入所述非易失性存储器部中的一个的情况下,从低级页至高级页依次对每页写入数据,并且当将数据写入所述低级页时,执行控制使得要被写入所述低级页的数据在相同的定时被写入所述非易失性存储器部中的另一个的任意区域。
2.根据权利要求1所述的存储器装置,
其中,当所述控制部将数据写入所述低级页时,所述控制部被允许同时访问所述多个非易失性存储器部中的至少两个非易失性存储器部。
3.根据权利要求1所述的存储器装置,
其中,所述多个位的数据是两个位。
4.根据权利要求1所述的存储器装置,
其中,所述非易失性存储器部是NAND型闪速存储器。
5.一种存储器控制装置,用于对多个非易失性存储器部执行读取和写入数据控制,所述非易失性存储器部被配置成允许一个存储器单元记录多个位的数据,并且根据作为写入控制单位的多个所述存储器单元包括所述多个位的相应数量的页,所述存储器控制装置执行的处理包括:
在所述多个非易失性存储器部中,在将数据写入所述非易失性存储器部中的一个的情况下,从低级页至高级页依次对每页写入数据,并且当数据被写入所述低级页时,执行控制使得要被写入所述低级页的数据在相同的定时被写入所述非易失性存储器部中的另一个的任意区域。
6.根据权利要求5所述的存储器控制装置,
其中,所述非易失性存储器部是NAND型闪速存储器。
7.一种控制存储器的方法,其中,对多个非易失性存储器部执行数据读取和写入控制,所述非易失性存储器部被配置成允许一个存储器单元记录多个位的数据,并且根据作为写入控制单位的多个所述存储器单元包括所述多个位的相应数量的页,所述方法包括:
在所述多个非易失性存储器部中,在将数据写入所述非易失性存储器部中的一个的情况下,从低级页至高级页依次对每页写入数据,并且当数据被写入所述低级页时,执行控制使得要被写入所述低级页的数据在相同的定时被写入所述非易失性存储器部中的另一个的任意区域。
8.根据权利要求7所述的控制存储器的方法,
其中,所述非易失性存储器部是NAND型闪速存储器。
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