[发明专利]六边形纳米片阵列及其制备方法

权利要求书

1.一种六边形纳米片阵列，包括衬底，其特征在于：

所述衬底上附有按六方有序排列的六边形纳米片阵列，所述六边形纳米片阵列的周期为200～2000nm；

所述组成六边形纳米片阵列的六边形纳米片的片厚为10～100nm、片单边长为100～1500nm；

所述六边形纳米片由金属或金属氧化物构成。

2.根据权利要求1所述的六边形纳米片阵列，其特征是六方有序排列为六方有序松散排列。

3.根据权利要求1所述的六边形纳米片阵列，其特征是金属为金，或银，或铜，或铁，或铝，或镍，或锌，或钛，或钨，或锡。

4.根据权利要求1所述的六边形纳米片阵列，其特征是金属氧化物为氧化铝，或氧化锌，或氧化钛，或氧化钨，或氧化锡。

5.根据权利要求1所述的六边形纳米片阵列，其特征是衬底为导体，或半导体，或绝缘体。

6.一种权利要求1所述六边形纳米片阵列的制备方法，其特征在于完成步骤如下：

步骤1，先于衬底上涂敷厚度为300～500nm的聚甲基丙烯酸甲酯后，将其置于160～200℃下保温3～4min，得到其上覆有聚甲基丙烯酸甲酯的衬底，再将球直径为200nm～2μm的聚苯乙烯胶体球附于其上覆有聚甲基丙烯酸甲酯的衬底表面后，将其置于110～130℃下保温15～60s，得到其上依次覆有聚甲基丙烯酸甲酯和球形单层胶体晶体模板的衬底；

步骤2，先对其上依次覆有聚甲基丙烯酸甲酯和球形单层胶体晶体模板的衬底使用氩等离子体刻蚀40～60min，得到其上依次覆有聚甲基丙烯酸甲酯和六边形单层胶体晶体模板的衬底，再于其上依次覆有聚甲基丙烯酸甲酯和六边形单层胶体晶体模板的衬底上蒸镀厚度为40～60nm的铝膜，得到其上依次覆有聚甲基丙烯酸甲酯、六边形单层胶体晶体模板和铝膜的衬底；

步骤3，先使用粘连的方法将其上依次覆有聚甲基丙烯酸甲酯、六边形单层胶体晶体模板和铝膜的衬底之上的六边形单层胶体晶体模板及其上的铝膜去除，得到其上依次覆有聚甲基丙烯酸甲酯和带有六边形孔阵列铝膜的衬底，再对其上依次覆有聚甲基丙烯酸甲酯和带有六边形孔阵列铝膜的衬底使用氧等离子体刻蚀30～40s，得到其上依次覆有带有六边形孔阵列的聚甲基丙烯酸甲酯和铝膜的衬底；

步骤4，先对其上依次覆有带有六边形孔阵列的聚甲基丙烯酸甲酯和铝膜的衬底蒸镀金属2～20min或金属氧化物3～33min，得到其上依次覆有带有六边形孔阵列的聚甲基丙烯酸甲酯、铝膜和金属或金属氧化物，以及六边形孔中沉积有金属或金属氧化物的衬底，再将其上依次覆有带有六边形孔阵列的聚甲基丙烯酸甲酯、铝膜和金属或金属氧化物，以及六边形孔中沉积有金属或金属氧化物的衬底置于二氯甲烷溶液中溶去聚甲基丙烯酸甲酯后，对其使用去离子水或蒸馏水进行洗涤和氮气吹干的处理，制得六边形纳米片阵列。

7.根据权利要求6所述的六边形纳米片阵列的制备方法，其特征是涂敷聚甲基丙烯酸甲酯时，涂敷液为浓度为5%的聚甲基丙烯酸甲酯甲苯溶液，涂敷为旋涂，旋涂时衬底的转速为2000～3000r/min。

8.根据权利要求6所述的六边形纳米片阵列的制备方法，其特征是使用氩等离子体刻蚀时，等离子体的功率为10～100mW。

9.根据权利要求6所述的六边形纳米片阵列的制备方法，其特征是使用氧等离子体刻蚀时，等离子体的功率为200mW。

10.根据权利要求6所述的六边形纳米片阵列的制备方法，其特征是步骤2和步骤4中的蒸镀为热蒸发镀，或磁控溅射镀，或电子束蒸发镀。