[发明专利]导电薄膜、其制备方法及应用

权利要求书

1.一种导电薄膜，其特征在于，包括层叠的AZO层，Cu层及Pr₂O₃层。

2.根据权利要求1所述的导电薄膜，其特征在于，所述AZO层的厚度为50nm～150nm，所述Cu层的厚度为5nm～35nm，所述Pr₂O₃层的厚度为0.5nm～5nm。

3.一种导电薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

将AZO靶材、Cu靶材及Pr₂O₃靶材及衬底装入磁控溅射镀膜设备的真空腔体，其中，真空腔体的真空度为1.0×10^-5Pa～1.0×10^-3Pa；

在所述衬底表面溅镀AZO层，溅镀所述AZO层的工艺参数为：基靶间距为35mm～90mm，溅射功率为60W～160W，磁控溅射工作压强0.2Pa～2Pa，工作气体的流量为15sccm～35sccm，衬底温度为150℃～750℃；

在所述AZO层表面溅镀Cu层，溅镀所述Cu层的工艺参数为：基靶间距为35mm～90mm，溅射功率为60W～160W，磁控溅射工作压强0.2Pa～2Pa，工作气体的流量为15sccm～35sccm，衬底温度为150℃～750℃；

在所述Cu层表面溅镀Pr₂O₃层，溅镀所述Cu层的工艺参数为：基靶间距为35mm～90mm，溅射功率为60W～160W，磁控溅射工作压强0.2Pa～2Pa，工作气体的流量为15sccm～35sccm，衬底温度为150℃～750℃；及

剥离所述衬底，得到所述导电薄膜。

4.根据权利要求3所述的导电薄膜的制备方法，其特征在于，所述AZO靶材由以下步骤得到：将Al₂O₃和ZnO粉体混合均匀，Al₂O₃的摩尔百分数为0.1%～3%，将混合均匀的粉体在900℃～1350℃下烧结制成靶材。

5.一种有机电致发光器件的基底，其特征在于，包括依次层叠的衬底、层叠的AZO层，Cu层及Pr₂O₃层。

6.根据权利要求5所述的有机电致发光器件的基底，其特征在于，所述AZO层的厚度为50nm～150nm，所述Cu层的厚度为5nm～35nm，所述Pr₂O₃层的厚度为0.5nm～5nm。

7.一种有机电致发光器件的基底的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

将AZO靶材、Cu靶材及Pr₂O₃靶材及衬底装入磁控溅射镀膜设备的真空腔体，其中，真空腔体的真空度为1.0×10^-5Pa～1.0×10^-3Pa；

在所述衬底表面溅镀AZO层，溅镀所述AZO层的工艺参数为：基靶间距为35mm～90mm，溅射功率为60W～160W，磁控溅射工作压强0.2Pa～2Pa，工作气体的流量为15sccm～35sccm，衬底温度为150℃～750℃；

在所述AZO层表面溅镀Cu层，溅镀所述Cu层的工艺参数为：基靶间距为35mm～90mm，溅射功率为60W～160W，磁控溅射工作压强0.2Pa～2Pa，工作气体的流量为15sccm～35sccm，衬底温度为150℃～750℃；

在所述Cu层表面溅镀Pr₂O₃层，溅镀所述Cu层的工艺参数为：基靶间距为35mm～90mm，溅射功率为60W～160W，磁控溅射工作压强0.2Pa～2Pa，工作气体的流量为15sccm～35sccm，衬底温度为150℃～750℃。

8.根据权利要求7所述的有机电致发光器件的基底的制备方法，其特征在于，所述AZO靶材由以下步骤得到：将Al₂O₃和ZnO粉体混合均匀，Al₂O₃的摩尔百分数为0.1%～3%，将混合均匀的粉体在900℃～1350℃下烧结制成靶材。