[发明专利]电子器件、电子设备以及电子器件的制造方法有效

专利信息
申请号: 201310117068.3 申请日: 2013-04-07
公开(公告)号: CN103368517B 公开(公告)日: 2018-01-23
发明(设计)人: 镰仓知之 申请(专利权)人: 精工爱普生株式会社
主分类号: H03H9/02 分类号: H03H9/02;H03H9/19;H03H3/02
代理公司: 北京三友知识产权代理有限公司11127 代理人: 李辉,于英慧
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 电子器件 电子设备 以及 制造 方法
【说明书】:

技术领域

本发明涉及电子器件、电子设备以及电子器件的制造方法。

背景技术

以往,已知有将振动元件等电子部件收纳到封装中的电子器件。此外,作为封装,已知有通过焊料等接合部件将基底基板与盖(盖部)接合的结构。

此外,封装设有:连接端子,其形成于基底基板的上表面(内表面),与振动元件电连接;安装端子,其形成于基底基板的下表面(外表面);以及贯通电极,其贯通基底基板而形成,将连接端子与安装端子电连接。以提高振动元件的振动特性等为目的对这样的封装进行气密密封。

然而,贯通电极通过在形成于基底基板的贯通孔中埋设金属等导电性材料而形成,因此存在如下问题,例如封装内外的气体在形成于贯通孔的内周面与贯通电极之间的间隙、或形成于贯通电极内的间隙产生流通,无法确保气密性。

为了解决这样的问题,在专利文献1中记载的电子器件中,构成为,在与基底基板的盖的开口端面重叠的区域形成贯通电极(贯通孔),通过将基底基板与盖接合的玻璃(接合部件)覆盖贯通电极。然而,近年来,要求电子器件的进一步小型化,与此相伴,盖的开口端面的宽度也变小。因此,在该部分形成贯通电极十分困难,此外,存在因制造偏差而使贯通电极从该部分露出的情况。此外,由于贯通电极形成于玻璃(接合部件)的正下方,因此会因在将盖与基底基板接合时施加的热量而损害贯通电极。

由此,在专利文献1的电子器件中存在如下问题,无法在实现电子器件的小型化的同时提高收纳空间的气密性。

专利文献1:日本特开2003-179456号公报

发明内容

本发明的目的在于,提供一种能够在实现小型化的同时提高收纳空间的气密性的电子器件、具有该电子器件的可靠性较高的电子设备,以及具有较高可靠性的电子器件的制造方法。

本发明正是为了解决上述课题的至少一部分而完成的,可以作为以下的方式或应用例而实现。

[应用例1]

本发明的电子器件,其特征在于,具有:

电子部件;

基底基板,其在一面侧固定有所述电子部件;

盖部,其以覆盖所述电子部件的方式与所述基底基板接合;

连接端子,其形成于所述基底基板的所述电子部件侧的面上,与所述电子部件电连接;

贯通电极,其在厚度方向上贯通所述基底基板而形成,与所述连接端子电连接;以及

包覆部件,其以在所述基底基板的平面视图中内包所述贯通电极的方式形成在所述连接端子上。

由此,可以得到能够在实现小型化的同时提高收纳空间的气密性的电子器件。

[应用例2]

在本发明的电子器件中,优选的是,所述包覆部件还覆盖所述连接端子的侧面的至少一部分。

由此,能够进一步提高收纳空间的气密性。

[应用例3]

在本发明的电子器件中,优选的是,所述包覆部件至少覆盖所述连接端子的侧面与所述贯通电极之间的间隔距离最近的所述侧面。

由此,能够进一步提高收纳空间的气密性。

[应用例4]

在本发明的电子器件中,优选的是,所述电子部件隔着所述包覆部件被固定在所述基底基板上。

由此,能够减少部件个数,能够实现电子器件的小型化。

[应用例5]

在本发明的电子器件中,优选的是,所述连接端子隔着具有导电性的所述包覆部件与所述电子部件电连接。

由此,能够减少部件个数,能够实现电子器件的小型化。

[应用例6]

在本发明的电子器件中,优选的是,所述电子器件具有将所述连接端子与所述电子部件电连接的引线。

由此,能够可靠地进行振动元件与连接端子的电连接。

[应用例7]

本发明的电子设备,其特征在于具有本发明的电子器件。

由此,可以得到可靠性较高的电子设备。

[应用例8]

本发明的电子器件的制造方法,其特征在于,该电子器件的制造方法包含以下工序:

准备基底基板,该基底基板上形成有连接端子和在厚度方向上贯通该基底基板并与所述连接端子电连接的贯通电极;

在所述连接端子上配置包覆部件;

隔着所述包覆部件,将电子部件固定在所述包覆部件上;以及

以覆盖所述电子部件的方式将盖部与所述基底基板接合,

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于精工爱普生株式会社,未经精工爱普生株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201310117068.3/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top