[发明专利]双折射薄膜反射式位相延迟片无效
| 申请号： | 201310116175.4 | 申请日： | 2013-04-03 |
| 公开（公告）号： | CN103207427A | 公开（公告）日： | 2013-07-17 |
| 发明（设计）人： | 齐红基;侯永强;朱美萍;易葵 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海光学精密机械研究所 |
| 主分类号： | G02B5/30 | 分类号： | G02B5/30;G02B1/08 |
| 代理公司： | 上海新天专利代理有限公司 31213 | 代理人： | 张泽纯 |
| 地址： | 201800 上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 双折射 薄膜 反射 位相 延迟 | ||
【权利要求书】：
1.一种双折射薄膜反射式位相延迟片，其特征在于是由基底上依次镀制的高反射膜（4）和Ta2O5双轴双折射薄膜层（3）一体构成，所述的高反射膜（4）的结构为(HL)xH，其中H为高折射率层（1），L为低折射率膜层（2），x为高折射率层（1）和低折射率膜层（2）重复的次数，所述的高反射膜（4）的最外层为高折射率层（1），每一膜层的光学厚度为四分之一使用波长λ，所述的Ta2O5双轴双折射薄膜层（3）的光学厚度决定该双折射薄膜反射式位相延迟片的反射位相延迟量。
2.根据权利要求1所述的双折射薄膜反射式位相延迟片，其特征在于所述的Ta2O5双轴双折射薄膜层（3）采用倾斜沉积技术制备，Ta2O5材料利用电子束蒸发方式加热后沉积在所述的高反射膜（4）上，所述的基片的法线相对于蒸发源的倾斜角度为60°，在镀制Ta2O5双轴双折射薄膜层（3）时，氧气纯度大于99.999%，充入量为20sccm，Ta2O5沉积速率为0.4nm/s。
3.根据权利要求1所述的双折射薄膜反射式位相延迟片，其特征在于所述的基底为玻璃。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院上海光学精密机械研究所，未经中国科学院上海光学精密机械研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201310116175.4/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
