[发明专利]一种具有取向性的纳米晶钛薄膜及其制备方法

权利要求书

1.一种具有取向性的纳米晶钛薄膜，其特征在于所述的具有取向性的纳米晶钛薄膜是利用磁控溅射方法制备出的，其具有择优晶粒取向（002），晶粒尺寸为2～500nm，厚度为100nm～3                                               m。

2.如权利要求1所述的一种具有取向性的纳米晶钛薄膜，其特征在于所述的具有取向性的纳米晶钛薄膜的晶粒尺寸为5～300nm，厚度为300nm～3m。

3.如权利要求2所述的一种具有取向性的纳米晶钛薄膜，其特征在于所述的具有取向性的纳米晶钛薄膜的晶粒尺寸为17～85nm，厚度为0.1～3m。

4.如权利要求1、2或3所述的一种具有取向性的纳米晶钛薄膜，其特征在于利用磁控溅射方法制备过程中所用的背底真空度为1E-5～10E-5Pa。

5.如权利要求4所述的一种具有取向性的纳米晶钛薄膜，其特征在于利用磁控溅射方法制备过程中，靶基距为50～120mm。

6.如权利要求5所述的一种具有取向性的纳米晶钛薄膜，其特征在于利用磁控溅射方法制备过程中，工作压强为0.2～2Pa。

7.如权利要求6所述的一种具有取向性的纳米晶钛薄膜，其特征在于利用磁控溅射方法 制备过程中，基底温度为23～500℃。

8.如权利要求7所述的一种具有取向性的纳米晶钛薄膜，其特征在于利用磁控溅射方法制备过程中，溅射功率为25～300W。

9.如权利要求8所述的一种具有取向性的纳米晶钛薄膜，其特征在于利用磁控溅射方法制备过程中，偏压为0～-100mv。

10.如权利要求1、2或3所述的一种具有取向性的纳米晶钛薄膜的制备方法，其特征在于具体包括如下步骤：

（1）、将待处理的硅片或石英玻璃基体先后置于丙酮、无水乙醇和蒸馏水中超声清洗10～20min，烘干后，放入真空室待溅；

（2）、采用高纯钛，优选纯度为99.995%为实验用靶材，安装上述基体，调整靶基距为50～120mm；

（3）、调节背底真空度为1E-5～10E-5Pa，通入Ar气，气压在0.2～2Pa之间，控制溅射功率25-300W，基底加热温度为23-500℃，偏压0～-100mV，预溅射5～15min后，采用直流溅射进行薄膜沉积，时间为10～120min后从真空室取样，即在硅片或石英玻璃基体的表面溅射成一层纳米晶钛薄膜，即得具有取向性的纳米晶钛薄膜。