[发明专利]提高PMOS栅氧负偏压温度不稳定性的方法有效
| 申请号： | 201310081898.5 | 申请日： | 2013-03-14 |
| 公开（公告）号： | CN103199013A | 公开（公告）日： | 2013-07-10 |
| 发明（设计）人： | 周军 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人： | 竺路玲 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 提高 pmos 栅氧负 偏压 温度 不稳定性 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种提高PMOS栅氧负偏压温度不稳定性的方法，其特征在于，包括：
采用预清洗工艺对一半导体衬底的表面进行处理；
继续对所述半导体衬底进行栅氧生长工艺后，进行退火工艺；
其中，所述预清洗工艺为SiCoNi清洗工艺。
2.根据权利要求1所述的提高PMOS栅氧负偏压温度不稳定性的方法，其特征在于，当采用炉管方式进行所述栅氧生长工艺时，对所述半导体衬底进行所述预清洗工艺和进行所述栅氧生长工艺之间的间隔时间小于1小时。
3.根据权利要求1所述的提高PMOS栅氧负偏压温度不稳定性的方法，其特征在于，所述半导体衬底为PMOS硅衬底。
4.根据权利要求1所述的提高PMOS栅氧负偏压温度不稳定性的方法，其特征在于，采用NF3和NH3进行所述SiCoNi清洗工艺。
5.根据权利要求4所述的提高PMOS栅氧负偏压温度不稳定性的方法，其特征在于，所述NF3和NH3的流量为1-1000sccm。
6.根据权利要求1所述的提高PMOS栅氧负偏压温度不稳定性的方法，其特征在于，所述SiCoNi清洗工艺的工艺时间为3-30s。
7.根据权利要求1所述的提高PMOS栅氧负偏压温度不稳定性的方法，其特征在于，所述退火工艺的温度大于100℃。
8.根据权利要求1所述的提高PMOS栅氧负偏压温度不稳定性的方法，其特征在于，所述退火工艺的退火时间为15-80s。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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